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公开(公告)号：CN103920495A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410159294.2
申请日：2014-04-21
申请人： 沈阳师范大学
CPC分类号： Y02E60/36
摘要： 一种二元钴基非贵金属Co-B催化剂及其制备方法，主要解决现有技术成本高，工艺复杂的问题。该催化剂是以金属基底为载体，采用化学镀法共沉积出金属Co和非金属B，制备形貌可控的球型纳米Co-B催化剂材料，其颗粒直径大小约为100-800nm，且该球型颗粒是由直径为10-60nm的更小颗粒堆积而成的。该方法中，化学镀具体操作流程为：将作为基底的物质：Ni箔、Cu箔、泡沫Ni或Cu依次用热碱溶液、铜侵蚀液、敏化液和活化液处理后，侵入上述镀液中进行化学镀，所得催化剂即为二元钴基非贵金属Co-B催化剂材料。该方法过程简单、成本低廉、易重复、纯度高、适宜大规模制备，这在车载储氢方面将具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN108538646B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201810323945.5
申请日：2018-04-12
申请人： 沈阳师范大学
摘要： 本发明属于纳米材料制备技术领域，特别涉及纳米花状聚吡咯‑氧化锰复合材料的制备方法。利用氧化锰(MnO2)与导电聚合物电化学共沉积，制备了具有大电位窗范围(‑0.3～0.9V vs.SCE)的纳米花状聚吡咯‑氧化锰复合材料，该材料可用作超级电容器电极材料，并有效扩大了氧化锰(0～0.9V vs.SCE)和聚吡咯(‑0.3～0.5V vs.SCE)的储能电位范围；本发明所采用的电化学共沉积方法制备方便快速、对环境友好，并且具有实验反应条件易于控制，产品无需后处理等特点。
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公开(公告)号：CN103920495B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410159294.2
申请日：2014-04-21
申请人： 沈阳师范大学
CPC分类号： Y02E60/36
摘要： 一种二元钴基非贵金属Co-B催化剂及其制备方法，主要解决现有技术成本高，工艺复杂的问题。该催化剂是以金属基底为载体，采用化学镀法共沉积出金属Co和非金属B，制备形貌可控的球型纳米Co-B催化剂材料，其颗粒直径大小约为100-800nm，且该球型颗粒是由直径为10-60nm的更小颗粒堆积而成的。该方法中，化学镀具体操作流程为：将作为基底的物质：Ni箔、Cu箔、泡沫Ni或Cu依次用热碱溶液、铜侵蚀液、敏化液和活化液处理后，侵入上述镀液中进行化学镀，所得催化剂即为二元钴基非贵金属Co-B催化剂材料。该方法过程简单、成本低廉、易重复、纯度高、适宜大规模制备，这在车载储氢方面将具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN108538646A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810323945.5
申请日：2018-04-12
申请人： 沈阳师范大学
摘要： 本发明属于纳米材料制备技术领域，特别涉及纳米花状聚吡咯-氧化锰复合材料的制备方法。利用氧化锰(MnO2)与导电聚合物电化学共沉积，制备了具有大电位窗范围(-0.3～0.9V vs.SCE)的纳米花状聚吡咯-氧化锰复合材料，该材料可用作超级电容器电极材料，并有效扩大了氧化锰(0～0.9V vs.SCE)和聚吡咯(-0.3～0.5V vs.SCE)的储能电位范围；本发明所采用的电化学共沉积方法制备方便快速、对环境友好，并且具有实验反应条件易于控制，产品无需后处理等特点。
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公开(公告)号：CN107799327A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710975793.2
申请日：2017-10-19
申请人： 沈阳师范大学
摘要： 本发明属于纳米材料制备技术领域，特别涉及导电聚合物的一维生长的制备方法。该方法包括如下步骤：(1)制备预处理碳布电极；(2)制备氧化钒-聚苯胺复合膜。该方法使得导电聚合物为具有一维结构的储能材料，且该一维结构有粒径均一且成功率高的优点；该制备工艺简单、成本低，对环境无污染、符合绿色化学的要求。
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