发明公开
- 专利标题: 射频谐振器结构
- 专利标题(英): Radio frequency resonator structure
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申请号: CN201810319927.X申请日: 2018-04-11
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公开(公告)号: CN108540105A公开(公告)日: 2018-09-14
- 发明人: 周杰 , 孙成亮 , 邹杨 , 蔡耀 , 唐楚滢
- 申请人: 武汉大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
- 专利权人: 武汉大学
- 当前专利权人: 武汉敏声新技术有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
- 代理机构: 武汉科皓知识产权代理事务所
- 代理商 张火春
- 主分类号: H03H9/24
- IPC分类号: H03H9/24 ; H03H9/02 ; H03H9/125
摘要:
本发明公开的射频谐振器结构,包括压电层、以及压电层上下表面分别配置的一定数量的顶部叉指电极和底部叉指电极;压电层上表面位于相邻顶部叉指电极之间的位置均设有沿顶部叉指电极长度方向的沟槽;同时,压电层下表面位于相邻底部叉指电极之间的位置均设有沿底部叉指电极长度方向的沟槽。本发明通过在相邻叉指电极之间的压电层设置沿着叉指电极长度方向的沟槽,来显著消除谐振器的寄生模式,并提升谐振器的机电耦合系数;且易实施,实施成本低。