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公开(公告)号：CN118900108A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410991887.9
申请日：2024-07-23
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及MEMS谐振器突发模式驱动电路，属于微机电子机械系统技术领域，包括：C/V转换电路用于获取谐振位移信号中的幅值信息；幅值自动增益控制电路用于产生MEMS谐振器的驱动信号并控制其谐振幅值；突发模式锁相环及驱动控制电路包括：突发模式驱动控制电路用于判断MEMS谐振器偏离稳态的程度，调整功耗门控信号的占空比，功耗门控信号通过C/V电路可控电源和AGC电路可控电源控制C/V转换电路和幅值自动增益控制电路开启与关断；突发模式锁相环用于相位锁定。本发明通过自适应控制C/V转换电路和幅值自动增益控制电路的开启与关断，在动态降低驱动电路功耗的同时，保证MEMS谐振器在非恒定温度的下的快速启动。
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公开(公告)号：CN116827296B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202310661476.9
申请日：2023-06-05
申请人： 无锡市好达电子股份有限公司
摘要： 本申请关于一种弹性波滤波器及其制备方法，涉及弹性波滤波器领域。该弹性波滤波器包括压电基底、设置于非压电基底上的压电薄膜，以及一部分设置于非压电基底上、另一部分设置于压电薄膜上的导电材料薄膜图形；其中，导电材料薄膜图形形成多个叉指换能器电极和用于实现叉指换能器电极之间电连接的多段导电轨迹，多段导电轨迹包括至少两段相互对置的且具有不同电位的导电轨迹，在两段导电轨迹的沿垂直于压电薄膜的上表面方向上的投影区域内或/和两段导电轨迹之间的区域内没有压电薄膜。本申请基于压电薄膜和非压电基底的压电复合衬底的弹性波器件，其具有尽量小的寄生电容，并因此具有更优的阻抗匹配效果和通带插损指标。
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公开(公告)号：CN112234950B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202010999635.2
申请日：2020-09-22
申请人： 江苏大学
摘要： 本发明提供了一种石墨烯电极二硫化钼谐振器及其制备方法，通过等离子体技术将转移的多层石墨烯打出间隙，后使用聚焦离子束蚀刻二氧化硅衬底形成圆形谐振腔。接着旋涂聚甲基丙基酸甲酯光刻胶，利用电子束曝光技术仅留下填充谐振腔的PMMA。最后选择干法转移法转移MoS2谐振梁，并去除PMMA。该方法可以避免金属电极与半导体接触产生的肖特基势垒，同时也解决了谐振梁转移过程中坍塌的问题。
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公开(公告)号：CN117375569A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310827175.9
申请日：2023-07-06
申请人： 精工爱普生株式会社
摘要： 振动器件。能够有效利用布线层并能够实现集成电路装置的小型化。振动器件具有：振子；集成电路装置，其使所述振子振荡而生成振荡信号；容器，其收纳所述振子和所述集成电路装置；以及金属凸块，其与所述集成电路装置接合，将所述集成电路装置与所述容器电连接，所述集成电路装置具有与所述金属凸块接合的焊盘和配置于在俯视所述焊盘时与所述金属凸块重叠的位置处的电路，在设所述焊盘的宽度为W1、所述金属凸块的宽度为W2时，W1/W2≥1.08。
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公开(公告)号：CN116505908A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310463272.4
申请日：2023-04-26
申请人： 南通大学
摘要： 本申请属于射频MEMS器件领域，涉及一种横向激励的体声波谐振器。包括：压电层结构；顶部叉指双电极结构，配置于压电层结构的上表面；衬底；介质层结构，位于压电层结构与衬底之间；空腔结构，位于压电层结构下方。本申请的横向激励的体声波谐振器，采用叉指双电极结构能够实现高品质因数(Q)、高机电耦合系数(kt2)和抑制寄生模态、提高频谱光滑度的效果，并且其形成的滤波器具有大带宽、低损耗、低功耗以及陡峭的滚降，具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN115514339A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211068150.7
申请日：2022-08-31
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请公开了一种微机电系统电极，属于微观机械系统技术领域。微机电系统电极包括主体，所述主体具有容置微机电系统中谐振子的容置空间，所述主体还具有至少一贯通的通孔，所述通孔设置在所述容置空间的周围，且所述通孔的延伸方向与所述容置空间的延伸方向相同。本申请所提供的微机电系统电极，通过在电极主体设置贯穿的通孔，从而可减小主体表面的对地面积，进而降低主体表面处的对地电容。
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公开(公告)号：CN113810017A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111132619.4
申请日：2016-11-21
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 稻手谦二
摘要： 提供一种能够实现小型化并且难以产生特性的劣化的弹性波装置。弹性波装置具备：压电基板(2)；第1弹性波元件(15)，设置在压电基板上，具有至少一个第1IDT电极(12A)和设置于设置有第1IDT电极的区域的第1方向的一侧的第1反射器(13A)；和第2弹性波元件(16)，设置在压电基板上，具有至少一个第2IDT电极(12B)和设置于设置有第2IDT电极的区域的第1方向的一侧的第2反射器(14A)，第1与第2反射器沿着第1方向排列，该弹性波装置还具备反射部件(17)，该反射部件被设置于第1与第2反射器之间，平面形状的外形具有曲线或者具有相对于第1方向倾斜的边，沿着与第1方向交叉的方向而被配置1列。
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公开(公告)号：CN110212884A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910501944.X
申请日：2019-06-11
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明提供了一种适用于声表面波器件的填埋式电极结构，包括：衬底、凹槽以及电极；所述凹槽设置于所述衬底的表面，所述电极设置于所述凹槽中。本发明提出的填埋式电极结构能够改善高温下金属薄膜电极的退化现象，从而增加电极在高温条件下的稳定工作时间；本发明提出的填埋式电极结构能够提升声表面波器件的反射系数和机电耦合系数，减小声表面波器件尺寸并增加器件带宽；对于应用于压力传感的声表面波器件，本发明提出的填埋式电极结构能够增大频率压力系数，提升压力敏感度。
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公开(公告)号：CN110114971A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201980000483.6
申请日：2019-03-28
申请人： 深圳市汇顶科技股份有限公司
摘要： 本申请提供一种晶体振荡器及其制作方法和设备，晶体振荡器包括：硅基衬底(10)和晶体振子(40)，且所述硅基衬底(10)开设有可供所述晶体振子(40)振动的空腔结构(101)，所述晶体振子(40)悬空设置在所述空腔结构(101)的上方，其中，所述晶体振子(40)包括层叠设置的第一激励电极(41)、晶体层(43)和第二激励电极(42)，实现了晶体振荡器小尺寸的目的，提高了晶体振荡器的加工精度，从而解决了现有晶体振荡器的尺寸较大而无法满足移动终端小型化需求的问题。
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公开(公告)号：CN108023566A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201710970156.6
申请日：2017-10-18
申请人： 日本电波工业株式会社
发明人： 渡辺善弘
CPC分类号： H03H9/19 , H01L41/0477 , H01L41/053 , H03H3/02 , H03H9/0509 , H03H9/0519 , H03H9/1021 , H03H9/21 , H03H2003/022 , H03H9/17 , H03H9/10 , H03H9/125 , H03L1/02
摘要： 本发明提供一种压电元件，不会使温度特性恶化，而降低了无用振动。压电元件具有：压电振动片，外形形成为长方形状，且具有形成在上表面及下表面这两主面的激振电极、形成在一方的短边的两端的电极垫、及从激振电极引出至电极垫为止且电连接于电极垫的引出电极；封装体，具备以与压电振动片的下表面相对的方式来载置压电振动片的载置面及形成于载置面的接着垫；以及导电性接着剂，将压电振动片固定于封装体，并且将接着垫与电极垫电连接。而且，在压电振动片上，在导电性接着剂与激振电极之间且在压电振动片的上表面涂布接着剂。
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