发明公开
CN108549750A 大容量SRAM的布局布线方法
无效 - 驳回
- 专利标题: 大容量SRAM的布局布线方法
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申请号: CN201810262607.5申请日: 2018-03-28
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公开(公告)号: CN108549750A公开(公告)日: 2018-09-18
- 发明人: 徐庆光 , 吴传禄 , 杨国庆 , 刘祥远 , 陈强 , 刘浩 , 徐欢 , 杨柳江 , 秦鹏举 , 张娜
- 申请人: 湖南融创微电子有限公司
- 申请人地址: 湖南省长沙市高新开发区尖山路39号长沙中电软件园总部大楼A395
- 专利权人: 湖南融创微电子有限公司
- 当前专利权人: 湖南融创微电子有限公司
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市高新开发区尖山路39号长沙中电软件园总部大楼A395
- 代理机构: 北京纽乐康知识产权代理事务所
- 代理商 罗莎
- 主分类号: G06F17/50
- IPC分类号: G06F17/50
摘要:
本发明提供了一种大容量SRAM的布局布线方法,包括:将n个小容量存储器拼接成大容量的静态随机存取存储器SRAM,并对SRAM进行分层布线;对所述底层模块中各个小容量存储器共用的信号线进行时钟树形式的走线,使同一信号同时到达各个小容量存储器;将所述底层模块的信号线在所述顶层结构中按照时钟树形式向所述SRAM的中心位置布入,再由中间位置向所述SRAM的边界布出;进入时序修正状态,对所述SRAM的保持时间违反和建立时间违反进行修正操作。本发明所提供的大容量SRAM的布局布线方法降低各信号的自由度,使其更容易控制,轻松完成整个设计的时序收敛。