公开(公告)号：CN108549750A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810262607.5

申请日：2018-03-28

申请人： 湖南融创微电子有限公司

发明人： 徐庆光 ,  吴传禄 ,  杨国庆 ,  刘祥远 ,  陈强 ,  刘浩 ,  徐欢 ,  杨柳江 ,  秦鹏举 ,  张娜

IPC分类号： G06F17/50

摘要： 本发明提供了一种大容量SRAM的布局布线方法，包括：将n个小容量存储器拼接成大容量的静态随机存取存储器SRAM，并对SRAM进行分层布线；对所述底层模块中各个小容量存储器共用的信号线进行时钟树形式的走线，使同一信号同时到达各个小容量存储器；将所述底层模块的信号线在所述顶层结构中按照时钟树形式向所述SRAM的中心位置布入，再由中间位置向所述SRAM的边界布出；进入时序修正状态，对所述SRAM的保持时间违反和建立时间违反进行修正操作。本发明所提供的大容量SRAM的布局布线方法降低各信号的自由度，使其更容易控制，轻松完成整个设计的时序收敛。

公开(公告)号：CN107959476A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201810008193.3

申请日：2018-01-04

申请人： 湖南融创微电子有限公司

发明人： 秦鹏举 ,  杨国庆 ,  刘浩 ,  刘祥远 ,  杨柳江 ,  徐欢 ,  张均安

IPC分类号： H03B5/04 ,  H03B5/12 ,  H03K3/03 ,  H03K3/011

CPC分类号： H03B5/04 ,  H03B5/1228 ,  H03K3/011 ,  H03K3/0315

摘要： 本发明提供了一种低功耗电流饥饿型振荡器电路，包括：电源端和接地端；基准产生电路，与所述基准产生电路电连接的低压环形振荡器，以及与所述低压环形振荡器电连接的电压转换电路；其中，所述基准产生电路包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第一PMOS管的栅极与误差放大器的输出端电连接，所述第一PMOS管的漏极分别与所述误差放大器的正输出端和第一电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端与所述接地端电连接。本发明所提供的低功耗电流饥饿型振荡器电路可实现精确的振荡器频率输出和较低功耗，并且电路的工作电压对振荡器频率值影响很小，电路结构简单。

公开(公告)号：CN108287980B

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN201810262639.5

申请日：2018-03-28

申请人： 湖南融创微电子有限公司

发明人： 吴传禄 ,  徐庆光 ,  杨国庆 ,  刘祥远 ,  刘浩 ,  陈强 ,  徐欢 ,  杨柳江 ,  秦鹏举

IPC分类号： G06F30/392

摘要： 本发明提供了一种芯片布线方法，包括：通过对芯片进行布局布线获得芯片上布线拥塞的拥塞区域；获取拥塞区域中的多个标准单元；根据拥塞区域在芯片上的位置，对多个标准单元的位置进行调整，能在消除布线拥塞的同时，提升芯片的布线效率。

公开(公告)号：CN108287980A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201810262639.5

申请日：2018-03-28

申请人： 湖南融创微电子有限公司

发明人： 吴传禄 ,  徐庆光 ,  杨国庆 ,  刘祥远 ,  刘浩 ,  陈强 ,  徐欢 ,  杨柳江 ,  秦鹏举

IPC分类号： G06F17/50

摘要： 本发明提供了一种芯片布线方法，包括：通过对芯片进行布局布线获得芯片上布线拥塞的拥塞区域；获取拥塞区域中的多个标准单元；根据拥塞区域在芯片上的位置，对多个标准单元的位置进行调整，能在消除布线拥塞的同时，提升芯片的布线效率。

公开(公告)号：CN107959476B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN201810008193.3

申请日：2018-01-04

申请人： 湖南融创微电子有限公司

发明人： 秦鹏举 ,  杨国庆 ,  刘浩 ,  刘祥远 ,  杨柳江 ,  徐欢 ,  张均安

IPC分类号： H03B5/04 ,  H03B5/12 ,  H03K3/03 ,  H03K3/011

摘要： 本发明提供了一种低功耗电流饥饿型振荡器电路，包括：电源端和接地端；基准产生电路，与所述基准产生电路电连接的低压环形振荡器，以及与所述低压环形振荡器电连接的电压转换电路；其中，所述基准产生电路包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第一PMOS管的栅极与误差放大器的输出端电连接，所述第一PMOS管的漏极分别与所述误差放大器的正输出端和第一电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端与所述接地端电连接。本发明所提供的低功耗电流饥饿型振荡器电路可实现精确的振荡器频率输出和较低功耗，并且电路的工作电压对振荡器频率值影响很小，电路结构简单。

公开(公告)号：CN207896939U

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201820014807.4

申请日：2018-01-04

申请人： 湖南融创微电子有限公司

发明人： 秦鹏举 ,  刘浩 ,  刘祥远 ,  杨柳江 ,  徐欢 ,  张均安

IPC分类号： H03B5/04 ,  H03B5/12 ,  H03K3/03 ,  H03K3/011

摘要： 本实用新型提供了一种低功耗电流饥饿型振荡器电路，包括：电源端和接地端；基准产生电路，与所述基准产生电路电连接的低压环形振荡器，以及与所述低压环形振荡器电连接的电压转换电路；其中，所述基准产生电路包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第一PMOS管的栅极与误差放大器的输出端电连接，所述第一PMOS管的漏极分别与所述误差放大器的正输出端和第一电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端与所述接地端电连接。本实用新型所提供的低功耗电流饥饿型振荡器电路可实现精确的振荡器频率输出和较低功耗，并且电路的工作电压对振荡器频率值影响很小，电路结构简单。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207895340U

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201820014485.3

申请日：2018-01-04

申请人： 湖南融创微电子有限公司

发明人： 张均安 ,  邓玉斌 ,  刘祥远 ,  刘浩 ,  秦鹏举

IPC分类号： G05F3/26

摘要： 本实用新型提供了一种有源电压箝位电路，包括：电源端和接地端；自启动电路，与所述自启动电路电连接的电流源产生电路和与所述电流源产生电路电连接的电压箝位核心电路；所述自启动电路包括：第一电容，所述第一电容的第一端与电源端电连接，所述第一电容的第二端分别与第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的栅极电连接；第一NMOS管，所述第一NMOS管的衬极和源极均与所述接地端电连接，所述第一NMOS管的栅极分别与电流源产生电路的第三NMOS管的漏极和栅极，第四NMOS管的栅极，第一PMOS管的漏极电连接。本实用新型所提供的有源电压箝位电路可实现精确的电压箝位，电路的工作电压以及环境温度对箝位电压值影响很小。