一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层上具有若干相互分立的牺牲层，所述牺牲层的顶部表面具有刻蚀阻挡层，相邻牺牲层之间具有凹槽；在所述牺牲层和刻蚀阻挡层的侧壁形成侧墙；在所述刻蚀阻挡层和侧墙的顶部表面、以及凹槽中形成保护层；平坦化所述保护层、侧墙和刻蚀阻挡层直至暴露出牺牲层的顶部表面；平坦化所述保护层、侧墙和刻蚀阻挡层后，去除所述保护层和牺牲层；去除所述保护层和牺牲层后，以所述侧墙为掩膜刻蚀待刻蚀材料层。所述方法使得半导体器件中图案的性能得到提高。