本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在衬底中形成外延层，外延层包括第一区域和第二区域，第一区域的外延层具有第一晶面，第二区域外延层具有第二晶面，第一晶面与第二晶面的晶面指数不相同；在外延层的第一区域和第二区域上形成覆盖层结构，所述覆盖层结构包括单层覆盖层或多层覆盖层，形成所述覆盖层的步骤包括：在外延层第一区域和第二区域上形成初始覆盖层，第一区域的初始覆盖层与第二区域的初始覆盖层的厚度不相同；对所述初始覆盖层进行刻蚀，减小所述第一区域上的初始覆盖层与第二区域上的初始覆盖层的厚度差；形成与所述覆盖层结构电连接的电极。所述形成方法能够改善所形成半导体结构性能。