发明授权
- 专利标题: 半导体元件
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申请号: CN201710146537.2申请日: 2017-03-13
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公开(公告)号: CN108573948B公开(公告)日: 2020-04-07
- 发明人: 黄凯易 , 简育生 , 叶达勋
- 申请人: 瑞昱半导体股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹科学工业园区创新二路2号
- 专利权人: 瑞昱半导体股份有限公司
- 当前专利权人: 瑞昱半导体股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹科学工业园区创新二路2号
- 代理机构: 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 主分类号: H01L23/522
- IPC分类号: H01L23/522 ; H01F27/28
摘要:
一种包含两绕组的半导体元件。第一绕组实质上位于一半导体结构的一第一金属层,包含:一第一外部线圈;一第一内部线圈;以及一第一跨接结构,位于该第一内部线圈所实质包围的范围内,用来连接该第一外部线圈及该第一内部线圈。第二绕组实质上位于该半导体结构的一第二金属层,包含:一第二外部线圈;一第二内部线圈;以及一第二跨接结构,位于该第二内部线圈所实质包围的范围内,用来连接该第二外部线圈及该第二内部线圈。该第一跨接结构实质上位于该半导体结构的该第二金属层,以及该第二跨接结构实质上位于该半导体结构的该第一金属层。
公开/授权文献
- CN108573948A 半导体元件 公开/授权日:2018-09-25
IPC分类: