本发明公开了一种SiC Mosfet可靠性及高温老化测试装置，它包括老化温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，控制器输出端口用控制线连接老化温控箱以及盐雾喷头、水喷头和水雾喷头，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：1、执行湿热冲击环境下的测试；2、执行雨环境下的测试；3、执行高盐分环境下的测试；4、执行高湿度环境下的测试；5、单周期高温老化的测试。本发明的技术效果是：实现了在多个因素的环境下对SiC Mosfet进行可靠性测试，在SiC Mosfet进行高温老化测试时，设置了热冲击状态，获得有效实验时间，提高了实验精度。