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公开(公告)号：CN108594101A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810283776.7
申请日：2018-04-02
申请人： 重庆大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种SiC Mosfet可靠性及高温老化测试装置，它包括老化温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，控制器输出端口用控制线连接老化温控箱以及盐雾喷头、水喷头和水雾喷头，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：1、执行湿热冲击环境下的测试；2、执行雨环境下的测试；3、执行高盐分环境下的测试；4、执行高湿度环境下的测试；5、单周期高温老化的测试。本发明的技术效果是：实现了在多个因素的环境下对SiC Mosfet进行可靠性测试，在SiC Mosfet进行高温老化测试时，设置了热冲击状态，获得有效实验时间，提高了实验精度。
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公开(公告)号：CN108562813A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810283089.5
申请日：2018-04-02
申请人： 重庆大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种SiC Mosfet电性能的测试装置，它包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：步骤1、执行机械压力条件下的测试，确认是否退出测试；步骤2、执行温度条件下的测试；确认是否退出测试；步骤3、执行机械压力和温度两个条件下的电压和电流测试，确认是否退出测试；重复上述各步骤，手动控制程序结束。本发明的技术效果是：能测试SiC Mosfet器件在机械压力和温度条件下的电压和电流，构建SiC Mosfet器件上电压、电流与机械压力和温度的变化关系。
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公开(公告)号：CN110571203A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910763082.8
申请日：2019-08-16
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司 , 重庆大学
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/473
摘要： 本发明提供一种用于IGBT模块的散热装置，包括：主散热器(1)，内设有流向相反设置的两条第一低熔点金属流道(113)，且所述主散热器(1)具有用于与IGBT模块(8)接触的第一端面；辅助散热器(2)，所述辅助散热器(2)的进口与两条所述第一低熔点金属流道(113)的出口连通，所述辅助散热器(2)的出口通过驱动结构(3)与两条所述第一低熔点金属流道(113)的进口连通。通过在主散热器内设置流向相反设置的两条第一低熔点金属流道，使得高热流密度的IGBT器件的散热更加均衡；通过设置辅助散热器可以对流出主散热器的高温低熔点金属工质进行冷却。
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公开(公告)号：CN111540718B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202010384365.4
申请日：2020-05-07
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/473 , H01L23/498 , H01L21/60
摘要： 本发明公开了一种碳化硅器件的封装结构，包括：驱动基板；碳化硅芯片，其烧结连接于驱动基板的正面，碳化硅芯片的栅极烧结引出有栅极弹性金属探针，源极烧结引出有源极金属柱；DBC基板组件，具有与栅极弹性金属探针位置对应的第一覆铜层和与源极金属柱位置对应的第二覆铜层；弹性组件，位于DBC基板组件背向驱动基板的一侧，在封装过程中，其弹性力驱使DBC基板组件靠近驱动基板以使第一覆铜层与栅极弹性金属探针、及第二覆铜层与源极金属柱压接相连。这种碳化硅器件的弹性压接封装结构，通过烧结引出的栅极弹性金属探针和DBC基板组件的第一覆铜层实现低电感互联，降低了封装寄生电感，提高了碳化硅器件封装结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN109449084B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201811136919.8
申请日：2018-09-27
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/78
摘要： 本发明公开了一种功率芯片的划片方法及半导体器件，其中，该划片方法包括如下步骤：在晶圆正面的划片道位置上形成划片槽，划片槽露出晶圆背面的金属层；在划片槽内填充塑封材料；采用刀片切割方式对晶圆进行切割，得到若干个独立的芯片。该功率芯片的划片方法，先在晶圆的正面制备划片槽，划片槽延伸至晶圆背面的金属层，这样可以大大降低后续采用金刚石砂轮划片进行机械切割的切割强度；之后，在划片槽内填充塑封材料，塑封材料对芯片的侧壁进行了保护，提高了芯片的耐压等级；最后，采用刀片切割晶圆得到若干个独立的功率芯片；解决了现有技术中功率芯片采用机械切割方式进行划片导致在划片后的芯片正反两面边缘处产生崩边的问题。
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公开(公告)号：CN108231706B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201711444169.6
申请日：2017-12-27
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/482 , H01L21/56
摘要： 本发明实施例提供了一种功率半导体器件封装结构及封装方法，该功率半导体器件封装结构包括：至少一个封装子模组，该封装子模组包括：上金属片、定位框架、功率芯片及下金属片，功率芯片设置于下金属片上，上金属片卡合于定位框架中，与定位框架共同设置于功率芯片上，上金属片的尺寸不小于下金属片的尺寸，且上金属片的尺寸与下金属片的尺寸差异小于预设差值，使得上金属片与下金属片面积相当，从而有效地减小了功率半导体器件中芯片的弯曲，避免了芯片因产生裂纹甚至发生脆断而失效，提高了功率半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN108279333B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201711432967.7
申请日：2017-12-26
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R27/26
摘要： 本发明公开一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置，其中基于IGBT器件的电感提取方法包括如下步骤：获取待测IGBT器件在开通瞬态下的第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值、关断瞬态下的第二电流值和第二电压值以及第二电源电压值；根据第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值，计算闭合回路的第一电感值，并根据第二电流值、第二电压值以及第二电源电压值，计算闭合回路的第二电感值；计算第一电感值和第二电感值的平均值得到闭合回路中的第三电感值。本发明通过同时计算待测IGBT器件在开通瞬态下和关断瞬态下的电感值，然后通过计算二者电感值的平均值降低提取闭合回路电感值的误差。
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公开(公告)号：CN107731696B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201710822772.7
申请日：2017-09-13
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/331 , H01L21/67 , H01L21/60 , H01L23/31 , H01L23/492 , H01L29/739
摘要： 本发明提供了一种功率芯片封装方法和结构，所述方法包括：将第一金属垫片、功率芯片和第二金属垫片放置在塑封模具内；将塑封材料升温化为液态；加压使液态塑封材料注入所述塑封模具；将所述态塑封材料在所述塑封模具中固化，形成塑封外壳后退掉所述塑封模具，得到塑封好的功率芯片子模组。该方案通过将第一金属垫片、功率芯片和第二金属垫片在塑封模具中进行塑封，简化了装配工序、降低了人为装配的误差，减少了各个零部件之间的接触热阻，并且提高了子模组装配过程中的均一性，有效保证了大规模芯片并联对误差精度的要求，提高了器件的可靠性。省去了传统的银片和绝缘框架，减少了生产工序，大幅提高了生产效率并且降低了器件的生产成本。
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公开(公告)号：CN111540718A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010384365.4
申请日：2020-05-07
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/473 , H01L23/498 , H01L21/60
摘要： 本发明公开了一种碳化硅器件的封装结构，包括：驱动基板；碳化硅芯片，其烧结连接于驱动基板的正面，碳化硅芯片的栅极烧结引出有栅极弹性金属探针，源极烧结引出有源极金属柱；DBC基板组件，具有与栅极弹性金属探针位置对应的第一覆铜层和与源极金属柱位置对应的第二覆铜层；弹性组件，位于DBC基板组件背向驱动基板的一侧，在封装过程中，其弹性力驱使DBC基板组件靠近驱动基板以使第一覆铜层与栅极弹性金属探针、及第二覆铜层与源极金属柱压接相连。这种碳化硅器件的弹性压接封装结构，通过烧结引出的栅极弹性金属探针和DBC基板组件的第一覆铜层实现低电感互联，降低了封装寄生电感，提高了碳化硅器件封装结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN108231703B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201711307492.9
申请日：2017-12-11
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/522 , H01L21/50
摘要： 本发明提供一种功率器件模组及其制备方法，该功率器件模组包括：功率芯片、第一金属膜及第二金属膜，第一金属膜与第二金属膜分别设置于功率芯片的上表面和下表面，解决了现有压接型功率器件接触热阻和接触电阻较高，从而导致功率器件散热性不佳的问题，减少了功率器件模组早期失效的现象。
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