发明公开
- 专利标题: 半导体发光装置
- 专利标题(英): SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
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申请号: CN201680079531.1申请日: 2016-12-15
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公开(公告)号: CN108604765A公开(公告)日: 2018-09-28
- 发明人: 川西秀和 , 村山雅洋
- 申请人: 索尼公司
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 索尼公司
- 当前专利权人: 索尼公司
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 余刚; 吴孟秋
- 优先权: 2016-014610 2016.01.28 JP
- 国际申请: PCT/JP2016/087435 2016.12.15
- 国际公布: WO2017/130596 JA 2017.08.03
- 进入国家日期: 2018-07-19
- 主分类号: H01S5/022
- IPC分类号: H01S5/022 ; H01L23/28 ; H01L23/40 ; H01L33/50
摘要:
一种半导体发光装置,设置有:基板;半导体发光元件,设置在基板上并且在通常平行于基板的主面的方向发射光;波长转换元件,布置在半导体发光元件的发光侧上,吸收从半导体发光元件发射的部分光,并且发射具有与所吸收的光的波长不同波长的光;以及保持构件,设置在基板上并且保持波长转换元件。
公开/授权文献
- CN108604765B 半导体发光装置 公开/授权日:2020-09-08