发明公开
- 专利标题: 基于漏磁信号的缺陷轮廓反演方法
- 专利标题(英): Defect contour inversion method based on magnetic flux leakage signal
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申请号: CN201810354589.3申请日: 2018-04-19
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公开(公告)号: CN108615234A公开(公告)日: 2018-10-02
- 发明人: 黄松岭 , 彭丽莎 , 赵伟 , 王珅 , 邹军 , 汪芙平 , 龙跃 , 桂林 , 董甲瑞 , 于歆杰 , 黄紫靖
- 申请人: 清华大学
- 申请人地址: 北京市海淀区清华园
- 专利权人: 清华大学
- 当前专利权人: 清华大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华园
- 代理机构: 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 张润
- 主分类号: G06T7/00
- IPC分类号: G06T7/00 ; G06T7/13 ; G06F17/50
摘要:
本发明公开了一种基于漏磁信号的缺陷轮廓反演方法,包括:获取待求解的目标缺陷漏磁信号;通过边缘检测得到目标缺陷漏磁信号对应的缺陷开口轮廓形状;得到N个沿垂直于磁化方向排列的矩形;构成N个长方体的子缺陷;获取各子缺陷对应的缺陷漏磁信号;对各子缺陷对应的缺陷漏磁信号进行位移变换操作;得到在当前预测深度序列下的预测缺陷漏磁信号;获取预测缺陷漏磁信号与目标缺陷漏磁信号的误差,且在误差大于或等于预设阈值时,更新当前预测深度序列,并返回步骤S5继续迭代,否则停止迭代,当前预测深度序列作为最终反演的缺陷深度序列;得到最终反演的缺陷轮廓。该方法大大减少了计算时间,具有计算模型简单,计算速度快、精度高等优点。
公开/授权文献
- CN108615234B 基于漏磁信号的缺陷轮廓反演方法 公开/授权日:2021-01-01