Invention Grant
- Patent Title: 基于漏磁信号的缺陷轮廓反演方法
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Application No.: CN201810354589.3Application Date: 2018-04-19
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Publication No.: CN108615234BPublication Date: 2021-01-01
- Inventor: 黄松岭 , 彭丽莎 , 赵伟 , 王珅 , 邹军 , 汪芙平 , 龙跃 , 桂林 , 董甲瑞 , 于歆杰 , 黄紫靖
- Applicant: 清华大学
- Applicant Address: 北京市海淀区清华园
- Assignee: 清华大学
- Current Assignee: 清华大学
- Current Assignee Address: 北京市海淀区清华园
- Agency: 北京清亦华知识产权代理事务所
- Agent 张润
- Main IPC: G06T7/00
- IPC: G06T7/00 ; G06T7/13 ; G06F30/23

Abstract:
本发明公开了一种基于漏磁信号的缺陷轮廓反演方法,包括:获取待求解的目标缺陷漏磁信号;通过边缘检测得到目标缺陷漏磁信号对应的缺陷开口轮廓形状;得到N个沿垂直于磁化方向排列的矩形;构成N个长方体的子缺陷;获取各子缺陷对应的缺陷漏磁信号;对各子缺陷对应的缺陷漏磁信号进行位移变换操作;得到在当前预测深度序列下的预测缺陷漏磁信号;获取预测缺陷漏磁信号与目标缺陷漏磁信号的误差,且在误差大于或等于预设阈值时,更新当前预测深度序列,并返回步骤S5继续迭代,否则停止迭代,当前预测深度序列作为最终反演的缺陷深度序列;得到最终反演的缺陷轮廓。该方法大大减少了计算时间,具有计算模型简单,计算速度快、精度高等优点。
Public/Granted literature
- CN108615234A 基于漏磁信号的缺陷轮廓反演方法 Public/Granted day:2018-10-02
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