发明公开
- 专利标题: 一种N掺杂TiO2/MXene复合材料及其制备方法和应用
- 专利标题(英): N-doped TiO2/MXene composite material and preparation method and application thereof
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申请号: CN201810515161.2申请日: 2018-05-25
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公开(公告)号: CN108615614A公开(公告)日: 2018-10-02
- 发明人: 胡伟 , 佘引 , 张长庚
- 申请人: 重庆大学
- 申请人地址: 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
- 专利权人: 重庆大学
- 当前专利权人: 重庆大学
- 当前专利权人地址: 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
- 代理机构: 北京同恒源知识产权代理有限公司
- 代理商 赵荣之
- 主分类号: H01G11/24
- IPC分类号: H01G11/24 ; H01G11/30 ; H01G11/46 ; H01G11/32 ; H01G11/86
摘要:
本发明涉及一种N掺杂TiO2/MXene复合材料及其制备方法和应用,属于纳米材料技术领域,其制备方法包括MXene材料的制备及利用水热法以MXene材料和六次甲基四胺为原料制备N掺杂TiO2/MXene复合材料。该复合材料中MXene为二维层状结构,TiO2纳米颗粒分布在MXene材料层间和表面,NH4+离子插层在MXene材料层间,N原子掺杂于MXene之中,将该复合材料用于制备超级电容器电极,不但具有良好的导电性能,还具有较高的比容量及稳定的充放电循环特性。该复合材料制备方法简单,成本低,适合工业化生产。