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公开(公告)号：CN118864519A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410884574.3
申请日：2024-07-03
申请人： 重庆大学 , 重庆大学附属肿瘤医院
摘要： 本发明公开了一种基于深度感知分解和分层重建的分层空洞填充方法，其包括参考图像分解为前景对象和背景部分，生成表示前景对象的掩膜；参考图像扭曲到目标位置，带有空洞和前景对象的目标视图及对应的空洞掩膜、带有空洞且无前景对象的目标视图及对应的空洞掩膜；用经图像预处理得到由背景纹理图像和对应的空洞掩膜组成的数据集练生成对抗网络，随后分别将图像对输入训练好的生成对抗网络的生成器，分别生成填充空洞后的无前景对象的目标视图和填充空洞后的目标视图，将生成的图像合并成一个最终的填充空洞后的目标视图。综合实验结果表明，本发明相比现有最先进的方法具有显著优势。
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公开(公告)号：CN117054747A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311047334.X
申请日：2023-08-18
申请人： 重庆大学
IPC分类号： G01R27/08
摘要： 本发明涉及一种忆阻器的测试电路，属于忆阻器的测试技术领域。本发明公开了一种忆阻器的测试电路，包括电压源模块1、恒流源模块2、模拟开关3、采样电阻4、限流判断模块5、忆阻器6及辅助测量采集模块7，具有以下优点：(1)该忆阻器的测试电路的测试仪器体积小巧方便携带，能够即时验证器件；(2)限制电流可达微安级别，能够达到较小的限制电流值,并且能够实时检测电流值；(3)检测的阻值范围大，能够覆盖大部分使用场景，可以扩展成两端器件IV曲线测量；(4)成本相比大型仪器较低。
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公开(公告)号：CN109346524B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201811159206.3
申请日：2018-09-30
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明公开了一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件，首先在传统器件基础上增加了具有隔离和耐压作用的氧化硅薄墙及解决电荷非平衡问题的阶梯浓度的多晶硅侧墙结构。其次在新型超结VDMOS器件基础上引入了P型柱，在器件关态时，与漂移区中的N型漂移区形成一系列反向PN结结构，承担一部分耐压，从而将器件的电场引入器件内部，优化整个有源顶层硅内的电场分布和提升器件的击穿电压。另一方面，漂移区中形成的超结结构辅助耗尽漂移区，从而提升漂移区的掺杂浓度，达到降低器件开态时导通电阻的目的。综上，本发明的结构能在提高器件击穿电压的同时降低器件的导通电阻，缓解了功率器件击穿电压与导通电阻之间的矛盾。
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公开(公告)号：CN108615614A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810515161.2
申请日：2018-05-25
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明涉及一种N掺杂TiO2/MXene复合材料及其制备方法和应用，属于纳米材料技术领域，其制备方法包括MXene材料的制备及利用水热法以MXene材料和六次甲基四胺为原料制备N掺杂TiO2/MXene复合材料。该复合材料中MXene为二维层状结构，TiO2纳米颗粒分布在MXene材料层间和表面，NH4+离子插层在MXene材料层间，N原子掺杂于MXene之中，将该复合材料用于制备超级电容器电极，不但具有良好的导电性能，还具有较高的比容量及稳定的充放电循环特性。该复合材料制备方法简单，成本低，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN104181424A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410426211.1
申请日：2014-08-26
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明公开了一种变压器绕组电热联合老化试验装置及试验方法，其中试验装置包括用于提供老化环境的密封罐、用于支撑变压器绕组模型的支撑板和用于提供高压电源与高压电极的高压引流装置，所述密封罐内设置有挡板，所述挡板将密封罐分隔成两个独立的密封空间，所述支撑板和高压引流装置设置在密封罐内的同一侧；本发明的试验装置和试验方法可以使变压器绕组电热联合老化与热老化试验同时在同样的密封环境中进行，从而可更好的分析出单因子变量—电场对油纸老化的影响。
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公开(公告)号：CN111293218B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202010129597.5
申请日：2020-02-28
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明涉及一种基于铯铜碘钙钛矿薄膜的阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器件技术领域。该阻变存储器由下往上依次由底电极、Cs3Cu2I5钙钛矿薄膜层、聚甲基丙烯酸甲酯层和金属顶电极层叠组成。制备该阻变存储器时，首先对底电极进行预处理，然后依次制备Cs3Cu2I5钙钛矿薄膜层、聚甲基丙烯酸甲酯层和金属顶电极。该阻变存储器不含铅元素，绿色低毒，且具有双极性阻变性能，开关比～30，具有良好的重复性和稳定性，操作电压低于±1V。该阻变存储器制备方法简单，易操作，且绿色环保，适合扩大化生产。
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公开(公告)号：CN104181424B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410426211.1
申请日：2014-08-26
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明公开了一种变压器绕组电热联合老化试验装置及试验方法，其中试验装置包括用于提供老化环境的密封罐、用于支撑变压器绕组模型的支撑板和用于提供高压电源与高压电极的高压引流装置，所述密封罐内设置有挡板，所述挡板将密封罐分隔成两个独立的密封空间，所述支撑板和高压引流装置设置在密封罐内的同一侧；本发明的试验装置和试验方法可以使变压器绕组电热联合老化与热老化试验同时在同样的密封环境中进行，从而可更好的分析出单因子变量—电场对油纸老化的影响。
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公开(公告)号：CN118002119A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311362421.4
申请日：2023-10-19
申请人： 重庆大学
IPC分类号： B01J23/656 , B01J37/08 , B01D53/86 , B01D53/72
摘要： 本发明公开了一种Pt‑MnO2催化剂的制备方法及其应用，属于催化剂制备技术领域，包括以下步骤，S1、将Mn(CH3COO)2·4H2O溶解在乙二醇中，形成混合盐液；S2、制备混有H2PtCl6·6H2O的Na2CO3水溶液；S3、将步骤S2的Na2CO3水溶液加入至混合盐液中，得反应溶液；S4、将反应溶液加热至140‑180摄氏度后搅拌，保持1‑3小时，得反应物沉淀；S5、将反应沉淀物进行清洗后，以50‑70摄氏度烘干；S6、将反应物沉淀在300‑450摄氏度条件下进行煅烧处理后，得Pt‑MnO2催化剂。本发明的方法使得Pt与MnO2载体之间的强金属载体相互作用(SMSI)增强，可诱导更多的Pt0和Mn+3用于氧的吸附和活化，且MnO2表面的氧空位可诱导生成的更多活性氧，活性氧可有效地迁移到表面活性位点，增强脱附CO2的能力，提高稳定性和甲苯催化活性。
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公开(公告)号：CN111293218A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010129597.5
申请日：2020-02-28
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明涉及一种基于铯铜碘钙钛矿薄膜的阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器件技术领域。该阻变存储器由下往上依次由底电极、Cs3Cu2I5钙钛矿薄膜层、聚甲基丙烯酸甲酯层和金属顶电极层叠组成。制备该阻变存储器时，首先对底电极进行预处理，然后依次制备Cs3Cu2I5钙钛矿薄膜层、聚甲基丙烯酸甲酯层和金属顶电极。该阻变存储器不含铅元素，绿色低毒，且具有双极性阻变性能，开关比～30，具有良好的重复性和稳定性，操作电压低于±1V。该阻变存储器制备方法简单，易操作，且绿色环保，适合扩大化生产。
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公开(公告)号：CN109063826B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201811066871.8
申请日：2018-09-13
申请人： 重庆大学
IPC分类号： G06N3/04
摘要： 本发明公开了一种基于忆阻器的卷积神经网络实现方法，包括制备由卷积+池化层与全连接层构成的待训练的卷积神经网络，并输入训练集图像信息，得到全连接层输出值；根据待训练的卷积神经网络的全连接层输出值与标准信息的偏差，利用反向传播函数对待训练的卷积神经网络进行训练；当达到训练次数时，判定训练精度是否达标，若不达标则对训练后的卷积神经网络进行再次训练，直至精度达标；获得所需卷积神经网络等步骤。其显著效果是：在硬件上减少了对精度和制备难度、时间的影响；实现了更高级的多层卷积神经网络；不易受到硬件噪声、制备难度和时间的影响，在应用复杂化后能够表现出更强的适应能力。
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