Invention Grant
- Patent Title: 一种N型SnSe热电材料及其制备方法
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Application No.: CN201810387019.4Application Date: 2018-04-26
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Publication No.: CN108615806BPublication Date: 2019-08-27
- Inventor: 赵立东 , 常诚
- Applicant: 北京航空航天大学
- Applicant Address: 北京市海淀区学院路37号
- Assignee: 北京航空航天大学
- Current Assignee: 北京航空航天大学
- Current Assignee Address: 北京市海淀区学院路37号
- Agency: 北京高沃律师事务所
- Agent 刘奇
- Main IPC: H01L35/16
- IPC: H01L35/16 ; H01L35/34 ; C01B19/00
Abstract:
本发明提供了一种N型SnSe热电材料,属于能源材料技术领域,所述N型SnSe热电材料由Sn、Se和Br原子组成,所述Sn、Se与Br的原子摩尔比为1:0.97~0.99:0.01~0.03;所述N型SnSe热电材料为单晶,所述晶体的晶胞参数abc分别为轴角α、β、γ均为90°;所述N型SnSe热电材料的ZT值为2.0~2.8。本发明得到的N型SnSe热电材料为单晶,消除了晶界和杂质对电子传输的影响,使得电性能得到显著的提高,实现了基于SnSe晶体的热电器件的N型材料部件热电性能的提高。
Public/Granted literature
- CN108615806A 一种N型SnSe热电材料及其制备方法 Public/Granted day:2018-10-02
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