公开(公告)号：CN113421960B

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202110776709.0

申请日：2021-07-09

申请人： 合肥工业大学

发明人： 黄中月 ,  王飞 ,  余愿 ,  袁宝国

IPC分类号： H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L35/34

摘要： 本发明公开了一种共掺杂Cu和Bi提高n型PbTe基热电材料性能的方法，是按照Pb0.999Bi0.001Te‑xat％Cu2Te的化学计量比，在n型PbTe基热电材料中掺杂Cu和Bi，从而提高其性能，其中x的范围在1.0‑5.0。本发明具有工艺简单、设备成本低、经济性高、可重复性高等优点，所制备的PbTe基热电材料具有高的功率因子的同时具有较低的热导率，其ZT值在n型PbTe基材料中处于较高水平，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN115428174A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180024959.7

申请日：2021-03-18

申请人： 琳得科株式会社

发明人： 森田亘 ,  加藤邦久 ,  关佑太

IPC分类号： H01L35/32 ,  H02N11/00 ,  H01L35/16 ,  H01L35/24 ,  H01L35/26 ,  H01L35/34

摘要： 本发明提供热电性能得到了进一步提高的热电转换模块，该热电转换模块包含基材、以及由热电半导体组合物形成的热电元件层，其中，上述热电半导体组合物包含热电半导体材料、耐热性树脂A、以及离子液体和/或无机离子性化合物，上述基材的热阻为0.35K/W以下。

公开(公告)号：CN112582527B

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202011457393.0

申请日：2020-12-13

申请人： 安徽大学

发明人： 宋吉明 ,  胡泽青

IPC分类号： H01L35/34 ,  H01L35/16 ,  H01L35/22

摘要： 本发明公开了一种石墨掺杂的GeS2热电材料的制备方法，属于能源转换技术领域。采用固相反应法结合高频炉热压烧结工艺制备。以GeS2和石墨（简写为G）为原料，化学式GxGeS2，其中x为石墨在GeS2中的浓度，且0

公开(公告)号：CN115403070A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202211039763.8

申请日：2022-08-29

申请人： 昆明理工大学

发明人： 谭红琳 ,  白耀宁 ,  李馨茹 ,  欧阳滔远 ,  闫昱玮 ,  江小弟

IPC分类号： C01G29/00 ,  C01B32/184 ,  H01L35/14 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

摘要： 本发明公开一种水热合成三硫化二铋‑还原氧化石墨烯复合热电材料的方法，在Bi的前驱体溶液中加入适量还原后的氧化石墨烯搅（rGO）拌均匀，之后分别加入S的前驱体溶液以及矿化剂尿素溶液搅拌均匀。将反应制得的Bi2S3‑rGO粉末经过压片管式烧结就得到这类复合热电材料。本发明中rGO的加入不仅会提升其电导率，还会降低基体材料的热导率，在二者的协同作用下提升其热电性能。Bi2S3基热电材料与传统的Te基热电材料相比无毒且价格低廉。利用本发明制备出的Bi2S3‑rGO复合热电材料进一步优化其热电性能，拓宽Bi2S3基材料在中温区热电材料领域的应用前景。

公开(公告)号：CN115403016A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202211225890.7

申请日：2022-10-09

申请人： 合肥工业大学

发明人： 黄露露 ,  沙圣茂 ,  闫健 ,  吴玉程 ,  刘家琴

IPC分类号： C01B19/00 ,  H01L35/16

摘要： 本发明公开了一种高性能黄铜矿体系热电材料及其制备方法，所述黄铜矿体系热电材料是通过两种同结构黄铜矿材料CuGaTe2和AgGaTe2高比例固溶后形成的化学组成为Cu1‑xAgxGaTe2的合金材料，其中0＜x≤0.5。本发明热电材料采用高比例固溶合金的方案设计和高能震动球磨的工艺，其最大ZT优值在873K时达到1.73，几乎是该体系目前已报道的最高值。其在300K‑873K之间的平均ZT值ZTave～0.69，这意味着该材料能有效地提升热能和电能相互转化的效率，即提升在废热发电和热电致冷方面的应用效率。此外，本发明热电材料还具有工艺简便、易于规模化生产和实用性强等优点。

公开(公告)号：CN115368136A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211033187.6

申请日：2022-08-26

申请人： 武汉理工大学

发明人： 苏贤礼 ,  李强 ,  唐新峰 ,  鲁志强

IPC分类号： C04B35/515 ,  C04B35/622 ,  H01L35/16

摘要： 本发明公开了一种适用于批量化制备多晶Bi2Te3基块体热电材料的方法，将碲化铋基区熔棒材在空气中破碎过筛，得到粒径尺寸不大于210μm的粉末，然后采用冷压成型与无压烧结相结合的工艺，可批量化制备多晶Bi2Te3基块体热电材料。本发明不仅可以提升材料的机械性能，而且可批量化生产热电性能优异的碲化铋基块体材料，为其商业化应用提供新方法。

公开(公告)号：CN115349181A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202180023158.9

申请日：2021-03-22

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 新井皓也 ,  霍姆普努特·维拉赛瑞尼 ,  中山翔太

IPC分类号： H01L35/16 ,  C01B19/04

摘要： 在该热电转换材料中，将Cu及Se作为主成分，还包含元素M和根据需要的Te，该元素M含有选自第10族元素及除了Cu以外的第11族元素中的一种或两种以上的元素，该热电转换材料由以下化学式表示。化学式：CuxSe(1‑y)TeyMZ，1.95≤x＜2.05，0≤y≤0.1，0.002≤z≤0.03。

公开(公告)号：CN113540335B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202110802962.9

申请日：2021-07-15

申请人： 陕西科技大学

发明人： 杨艳玲 ,  薛帆 ,  侯小江 ,  锁国权 ,  冯雷 ,  叶晓慧 ,  张荔 ,  和茹梅 ,  刘佳隽 ,  丁文婷

IPC分类号： H01L35/34 ,  H01L35/16

摘要： 本发明公开了一种S掺杂SnSe/CNTs复合柔性薄膜及其制备方法，属于纳米能源热电材料技术领域。所述制备方法包括：将Na2SeO3和SnCl2·2H2O溶解于溶剂A中得到溶液A，将单质S溶解于溶液A中，得到溶液B，将CNTs超声分散在溶液B中，得到溶液C；将溶液C进行溶剂热反应得到产物体系，将产物体系经过离心清洗后干燥制得干燥的产物D；将干燥的产物D超声分散于溶剂B中后进行真空抽滤得到薄膜E，干燥后得到S掺杂SnSe/CNTs复合柔性薄膜，所得S掺杂SnSe/CNTs复合柔性薄膜为SnSe1‑xSx/CNTs复合柔性薄膜，0＜x≤0.05。采用上述制备方法制得的S掺杂SnSe/CNTs复合柔性薄膜，在保持复合薄膜柔韧性的同时提高了电导率。

公开(公告)号：CN115287755A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210837616.9

申请日：2022-07-15

申请人： 湖北赛格瑞新能源科技有限公司

发明人： 韩学武 ,  胡晓明 ,  胡浩 ,  樊希安

IPC分类号： C30B28/02 ,  C30B29/52 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34 ,  B22F3/105 ,  B22F3/14

摘要： 本发明属于碲化铋基热电材料技术领域，特别是一种拉拔工艺制备p型碲化铋基热电材料的方法。本方法通过将块体p型碲化铋基热电材料封入延展性优良的铜管中，进行加热后再拉拔，成功将拉拔工艺应用在热电材料的制备上，实现了脆性材料的拉拔变形，并且由于感应加热迅速，拉拔工艺可快速批量化制备热电材料，具有非常强的实用价值。

公开(公告)号：CN112614932B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202011492651.9

申请日：2020-12-17

申请人： 华中科技大学

发明人： 申利梅 ,  陈艺欣 ,  谢军龙 ,  蒋勇 ,  李美勇

IPC分类号： H01L35/34 ,  H01L35/32 ,  H01L35/08 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18

摘要： 本发明属于薄膜热电器件相关技术领域，其公开了一种具有热电臂结构的热薄膜器件及其制备方法，所述方法包括以下步骤：(1)制作多个镂空的掩膜；(2)采用掩膜在衬底上沉积制备底部电极，并在所述底部电极的间隙处沉积绝缘层；(3)采用掩膜在所述底部电极及所述绝缘层上沉积P型热电臂并在所述P型热电臂上沉积P型扩散阻挡层；采用掩膜在所述底部电极及所述绝缘层上沉积N型热电臂并在所述N型热电臂上沉积N型扩散阻挡层；所述P型热热电臂及所述N型热电臂的边缘直接相连接；(4)在所述P型扩散阻挡层及所述N型扩散阻挡层上沉积制备顶部电极，由此完成制备。本发明简化了工艺，提高了成品率，且降低了成本。