发明公开
- 专利标题: 光刻曝光设备及光刻曝光方法
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申请号: CN201810418147.0申请日: 2018-05-04
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公开(公告)号: CN108628109A公开(公告)日: 2018-10-09
- 发明人: 刘必秋
- 申请人: 上海华力集成电路制造有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
- 专利权人: 上海华力集成电路制造有限公司
- 当前专利权人: 上海华力集成电路制造有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
- 代理机构: 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理商 郭四华
- 主分类号: G03F7/20
- IPC分类号: G03F7/20
摘要:
本发明涉及一种光刻曝光设备,涉及集成电路制造技术,该光刻曝光设备包括光源、掩模版及晶圆,所述掩模版位于所述光源与所述晶圆之间,所述光源用于发出光束照射所述掩模版,其中,所述光源发出至少两种带宽的光束;以使光刻曝光设备针对掩膜版的不同区域的工艺窗口最大化,进而提高光刻工艺的整体工艺窗口。
公开/授权文献
- CN108628109B 光刻曝光设备及光刻曝光方法 公开/授权日:2021-06-15
IPC分类: