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公开(公告)号：CN118016549A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410079238.1
申请日：2024-01-19
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/544 , G01N21/59 , G01N21/31 , G01B11/00
摘要： 本发明提供一种修正光学线宽量测准确性的方法，包括：提供一半导体结构，其形成有器件工艺膜层；于器件工艺膜层的表面形成OCD图形，OCD图形包括间隔设置的OCD量测图形及辅助图形，OCD量测图形包括至少两种材料，各材料交替且周期性地形成于器件工艺膜层的表面，辅助图形的数目与OCD量测图形所采用的材料种类数目相同，各辅助图形均是由单种材料形成的平面结构；进行OCD量测，获取OCD量测图形的OCD光谱及各辅助图形的辅助光谱；从辅助光谱中获取各材料的透射率和吸光系数；将各材料的透射率和吸光系数输入至OCD光谱进行解析以准确计算出所需量测的关键尺寸。通过本发明解决了现有的OCD量测结果准确性较低的问题。
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公开(公告)号：CN117850180A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410115227.4
申请日：2024-01-26
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
摘要： 本发明提供一种基于衍射的套刻精度误差标计结构，包括多个呈矩阵式分布的方岛分布区；全部或部分的方岛分布区上形成有方岛结构，方岛结构构成当层光栅结构和前层光栅结构的光栅设计结构，光栅设计结构的长度大于入射光光斑的长度，光栅设计结构用于量测入射光在x方向和y方向的衍射光强，衍射光强需符合预设范围。本发明可以实现一次量测一个基于衍射的套刻精度误差标计结构同时获取x和y方向的套刻精度信息，即可节省切割道空间，又可提升量测效率。
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公开(公告)号：CN116339085A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310021636.3
申请日：2023-01-07
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
摘要： 本发明提供一种监控套刻标记工艺质量的方法，提供设计标记；依据设计标记，将设计标记制作在晶圆上，得到套刻标记；扫描套刻标记，并接收扫描到的信号，生成套刻标记的照片；基于照片提取套刻标记的轮廓的CD；将设计标记的轮廓的CD与套刻标记的轮廓的CD进行叠层对比，以量测二者之间的差别；或将套刻标记的轮廓的不同位置的CD相互比对，以量测不同位置的CD差别。本发明采用电子显微镜扫描拍摄到的图片进行抽取边缘CD，与设计后的标记叠层或不同位置标记的轮廓CD叠层，如有差异，可以及时发现异常。如果实际标记出现偏移则会反映到套刻量测结果上，提前对工艺过程及量测结果进行初步判断，避免出现错误的套刻反馈，为工艺改善提供指导。
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公开(公告)号：CN108628109A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810418147.0
申请日：2018-05-04
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
发明人： 刘必秋
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明涉及一种光刻曝光设备，涉及集成电路制造技术，该光刻曝光设备包括光源、掩模版及晶圆，所述掩模版位于所述光源与所述晶圆之间，所述光源用于发出光束照射所述掩模版，其中，所述光源发出至少两种带宽的光束；以使光刻曝光设备针对掩膜版的不同区域的工艺窗口最大化，进而提高光刻工艺的整体工艺窗口。
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公开(公告)号：CN114695121A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210170172.8
申请日：2022-02-24
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种自对准成像工艺剪切层刻蚀偏差的测量方法，设计测试图形，主版图包括在X方向等间距分布、在Y方向以相差固定偏移量依次分布的牺牲层图形和多行沿着X，Y方向等间距分布的剪切层图形。每一列相邻的两个牺牲层图形在Y方向的周期与剪切层图形的周期一致。将该测试图形转移至光罩上，经过一系列光刻和刻蚀等工艺后，利用大场检测工具进行检测，通过正好被完全剪切掉的fin结构和刚刚被剪切到的fin结构的位置来确定刻蚀后图形的边界。本发明准确地确定剪切层AEI CD的边界，从而确定刻蚀偏差，为光学临近效应校正/光刻/刻蚀工艺的调整提供参考，提高工艺修正和调整的准确性，减少缺陷的产生。
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公开(公告)号：CN118502203A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410669784.0
申请日：2024-05-27
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/033 , G03F9/00
摘要： 本发明提供一种OVL套刻标识图形，包括：间隔设置的目标OVL图形与参考OVL图形，目标OVL图形包括前层光栅结构及当层光栅结构，其包括紧邻设置的第一光栅图形与第二光栅图形，且第一光栅图形包括多个间隔排列的第一条形光栅，第二光栅图形包括多个间隔排列的述第二条形光栅，当层光栅结构包括紧邻设置的第三光栅图形与第四光栅图形，且第三光栅图形包括多个间隔排列的第三条形光栅，第四光栅图形包括多个的间隔排列的第四条形光栅；参考OVL图形包括前层光栅结构。通过本发明解决了现有的外围Fin形貌差异造成的前层光栅结构对称性不好的问题。
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公开(公告)号：CN108628109B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810418147.0
申请日：2018-05-04
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
发明人： 刘必秋
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明涉及一种光刻曝光设备，涉及集成电路制造技术，该光刻曝光设备包括光源、掩膜版及晶圆，所述掩膜版位于所述光源与所述晶圆之间，所述光源用于发出光束照射所述掩膜版，其中，所述光源发出至少两种带宽的光束；以使光刻曝光设备针对掩膜版的不同区域的工艺窗口最大化，进而提高光刻工艺的整体工艺窗口。
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公开(公告)号：CN111766764A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010584741.4
申请日：2020-06-24
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
发明人： 刘必秋
摘要： 本发明提供一种套刻精度量测标记及其使用方法，本发明针对光刻当层，利用DBO衍射量测的特征，同时IBO量测图形不参与衍射结果，相对于传统的IBO量测具有更高的精准度和准确度；在刻蚀后，利用IBO量测标记可以表征刻蚀后套刻精度的性能，弥补DBO量测标记在刻蚀后无法量测的缺点。本发明的套刻精度量测标记不仅可以满足光刻当层套刻精度的检查要求且可以得到刻蚀后相应的套刻精度的测试结果，节省了器件空间，而提供了不同工艺过程中套刻精度测试需求。
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公开(公告)号：CN112015061A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010878460.X
申请日：2020-08-27
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
发明人： 刘必秋
摘要： 本发明提供一种套刻精度量测标记及其使用方法，本发明针对光刻当层，利用DBO衍射量测的特征，同时CDSEM量测图形不参与衍射结果；在刻蚀后，利用CDSEM量测标记可以表征刻蚀后套刻精度的性能，弥补DBO量测标记在刻蚀后无法量测的缺点。本发明的套刻精度量测标记不仅可以满足光刻当层套刻精度的检查要求且可以得到刻蚀后相应的套刻精度的测试结果，可以精确表征图形当前层器件的最准精度和连通情况。节省了器件空间，而提供了不同工艺过程中套刻精度测试需求。
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公开(公告)号：CN108803259A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810536842.7
申请日：2018-05-30
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
摘要： 本发明为一种晶圆烘焙热板系统及其温度控制方法，包括一板体、一测温模块、一升温模块、一降温模块。由此，通过热电效应材料的制冷装置，该制冷装置结构简单、无需任何传动部件、可靠性高、体积较小的、与热板的平面板状匹配，实现了该热板温度的快速、精准调节，提高热板表面的温度均匀性和热板的温控速率，从而提高了曝光后线条宽度的均匀性，并提升了机台在生产过程中的产出能力。
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