本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成堆叠栅，在所述堆叠栅的侧壁上形成间隙壁；在所述半导体衬底上形成包围所述堆叠栅的层间介电层；在所述层间介电层中形成源极接触和漏极接触；其中，所述间隙壁顶部区域全部由与所述层间介电层具有刻蚀选择性的材料构成。该制作方法可以克服栅极间隙壁顶部的反转接触刻蚀停止层被去除导致的栅极与源/漏之间的击穿电压降低的问题。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。