Invention Grant
- Patent Title: 包括可变电阻材料层的存储器件
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Application No.: CN201810257802.9Application Date: 2018-03-27
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Publication No.: CN108666417BPublication Date: 2022-05-31
- Inventor: 安东浩 , 吴哲 , 朴淳五 , 堀井秀树
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 屈玉华
- Priority: 10-2017-0038666 20170327 KR
- Main IPC: H01L45/00
- IPC: H01L45/00 ; H01L27/24 ; G11C13/00
Abstract:
提供了一种存储器件。该存储器件包括可变电阻层。选择器件层电连接到可变电阻层。选择器件层包括具有根据下面的化学式1的组成的硫族化合物开关材料，[GeASeBTeC](1‑U)[X]U···(1)其中，0.20≤A≤0.40，0.40≤B≤0.70，0.05≤C≤0.25，A+B+C＝1，0.0≤U≤0.20，并且X是从硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、磷(P)或硫(S)中选择的至少一种。
Public/Granted literature
- CN108666417A 包括可变电阻材料层的存储器件 Public/Granted day:2018-10-16
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IPC分类:
