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公开(公告)号：CN116891221A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310376723.0
申请日：2023-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及硫属化物材料、开关器件、和存储器件。根据一种实施方式的硫属化物材料包括：锗(Ge)；砷(As)；硫(S)；硒(Se)，以及选自铟(In)、镓(Ga)和铝(Al)的至少一种III族金属，其中Ge的含量可大于约10原子％且小于或等于约30原子％，As的含量可大于约30原子％且小于或等于约50原子％，Se的含量大于约20原子％且小于或等于约60原子％，S的含量大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％，且所述III族金属的含量可大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％。
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公开(公告)号：CN108666417B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201810257802.9
申请日：2018-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器件。该存储器件包括可变电阻层。选择器件层电连接到可变电阻层。选择器件层包括具有根据下面的化学式1的组成的硫族化合物开关材料，[GeASeBTeC](1‑U)[X]U···(1)其中，0.20≤A≤0.40，0.40≤B≤0.70，0.05≤C≤0.25，A+B+C＝1，0.0≤U≤0.20，并且X是从硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、磷(P)或硫(S)中选择的至少一种。
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公开(公告)号：CN107689419A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710654882.7
申请日：2017-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2427 , H01L23/528 , H01L27/224 , H01L27/2481 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/148 , H01L45/142
Abstract: 提供一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件能够通过使用包括多层结构的双向阈值开关(OTS)选择元件而提高存储器件的可靠性。非易失性存储器件包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；选择元件层，在第一电极和第二电极之间，其与到第一电极相比，更靠近第二电极设置，并且其包括第一硫族化物层和第二硫族化物层。第一硫族化物层包括第一硫族化物材料，第二硫族化物层包括第二硫族化物材料。在第一电极和选择元件层之间的存储层包括不同于第一硫族化物材料和第二硫族化物材料的第三硫族化物材料。
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公开(公告)号：CN107689242A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710657323.1
申请日：2017-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: H01L45/1641 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2013/0083 , G11C2213/76 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , G11C13/0002 , G11C13/0021
Abstract: 本发明公开了一种形成包括存储单元阵列的半导体器件的方法，该方法可以包括对存储阵列的一个或更多个存储单元执行开关烧制操作从而导致与存储单元中的阈值开关器件相关的阈值电压分布被减小。开关器件烧制操作可以被执行使得阈值电压分布被减小同时保持所述一个或更多个阈值开关器件处于非晶态。对阈值开关器件执行开关器件烧制操作可以包括加热阈值开关器件、施加电压到阈值开关器件、施加电流到阈值开关器件、其一些组合等等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1196190C
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN01123884.4
申请日：2001-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/76 , H01L21/3105 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/76235 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/31662 , H01L21/76264 , H01L21/76283 , H01L27/1203
Abstract: 这里公开了在沟槽侧壁氧化过程中，防止已构图的SOI层弯曲的各种方法，这些方法包括：提供至少具有一个沟槽的已构图的SOI层，所述已构图的SOI层设置在下面埋置的氧化硅层上；以及阻止氧在所述已构图的SOI和埋置的氧化硅层之间的扩散。
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公开(公告)号：CN117597016A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311052282.5
申请日：2023-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供可变电阻存储器件和/或包括其的电子设备。所述可变电阻存储器件包括：包括具有大于或等于约9％的缺氧率的金属氧化物的电阻变化层；在所述电阻变化层上的半导体层；在所述半导体层上的栅极绝缘层；和在所述栅极绝缘层上彼此隔开的多个栅电极。
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公开(公告)号：CN107689419B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201710654882.7
申请日：2017-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件能够通过使用包括多层结构的双向阈值开关(OTS)选择元件而提高存储器件的可靠性。非易失性存储器件包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；选择元件层，在第一电极和第二电极之间，其与到第一电极相比，更靠近第二电极设置，并且其包括第一硫族化物层和第二硫族化物层。第一硫族化物层包括第一硫族化物材料，第二硫族化物层包括第二硫族化物材料。在第一电极和选择元件层之间的存储层包括不同于第一硫族化物材料和第二硫族化物材料的第三硫族化物材料。
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公开(公告)号：CN107732007B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201710679593.2
申请日：2017-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法，其中该可变电阻存储器件包括位于基板之上的第一导电线。每个第一导电线在第一方向上延伸并且第一导电线设置在第二方向上。每个第二导电线在第二方向上延伸并且第二导电线在第一方向上设置。第二导电线位于第一导电线之上。存储单元位于第一导电线和第二导电线之间。存储单元在第三方向上交叠第一导电线和第二导电线。存储单元包括第一电极、位于第一电极上的可变电阻图案以及位于可变电阻图案上的第二电极。选择图案位于每个存储单元上。第三电极位于选择图案之上。第三电极与每个第二导电线的下表面直接接触。
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公开(公告)号：CN108666417A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810257802.9
申请日：2018-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2427 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 提供了一种存储器件。该存储器件包括可变电阻层。选择器件层电连接到可变电阻层。选择器件层包括具有根据下面的化学式1的组成的硫族化合物开关材料，[GeASeBTeC](1-U)[X]U……(1)其中，0.20≤A≤0.40，0.40≤B≤0.70，0.05≤C≤0.25，A+B+C＝1，0.0≤U≤0.20，并且X是从硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、磷(P)或硫(S)中选择的至少一种。
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