Invention Publication
- Patent Title: MEMS声学换能器元件和制造MEMS声学换能器元件的方法
- Patent Title (English): MEMS SOUND TRANSDUCER ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING A MEMS SOUND TRANSDUCER ELEMENT
-
Application No.: CN201810307956.4Application Date: 2018-04-08
-
Publication No.: CN108696811APublication Date: 2018-10-23
- Inventor: M·施泰尔特 , H·托伊斯
- Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
- Applicant Address: 德国诺伊比贝尔格
- Assignee: 英飞凌科技股份有限公司
- Current Assignee: 英飞凌科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 德国诺伊比贝尔格
- Agency: 北京市金杜律师事务所
- Agent 郑立柱
- Priority: 102017205971.0 20170407 DE
- Main IPC: H04R19/00
- IPC: H04R19/00 ; H04R31/00

Abstract:
本公开涉及一种MEMS声学换能器元件(100)以及一种用于制造这样的MEMS声学换能器元件(100)的方法,其中,所述方法还包括提供第一衬底(200),其中所述第一衬底(200)具有第一衬底侧(201)、对置的第二衬底侧(202)和布置在所述第一衬底侧(201)上的膜层(203)。另外的方法步骤包括:从所述第二衬底侧(202)起,在对置于所述膜层(203)的第一面部段(221)中实施第一蚀刻,直到第一深度(d1),另外的方法步骤包括:从所述第二衬底侧(202)起,在大于所述第一面部段(221)并且包括所述第一面部段(221)的第二面部段(222)中实施第二蚀刻,以便在所述第一面部段(221)中暴露所述膜层(203)并且为所述膜层(203)产生背部容积。
Public/Granted literature
- CN108696811B MEMS声学换能器元件和制造MEMS声学换能器元件的方法 Public/Granted day:2021-07-20
Information query