MEMS声学换能器元件和制造MEMS声学换能器元件的方法
Abstract:
本公开涉及一种MEMS声学换能器元件(100)以及一种用于制造这样的MEMS声学换能器元件(100)的方法,其中,所述方法还包括提供第一衬底(200),其中所述第一衬底(200)具有第一衬底侧(201)、对置的第二衬底侧(202)和布置在所述第一衬底侧(201)上的膜层(203)。另外的方法步骤包括:从所述第二衬底侧(202)起,在对置于所述膜层(203)的第一面部段(221)中实施第一蚀刻,直到第一深度(d1),另外的方法步骤包括:从所述第二衬底侧(202)起,在大于所述第一面部段(221)并且包括所述第一面部段(221)的第二面部段(222)中实施第二蚀刻,以便在所述第一面部段(221)中暴露所述膜层(203)并且为所述膜层(203)产生背部容积。
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