-
公开(公告)号：CN119846525A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411442839.0
申请日：2024-10-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： H·托伊斯
Abstract: 本公开的实施例涉及具有半导体衬底沟槽的传感器装置和对应的制造方法。本发明涉及一种传感器装置，包括磁场传感器芯片。磁场传感器芯片包括半导体衬底，该半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；传感器元件，该传感器元件布置在第一表面上，所述传感器元件被设计用于检测在传感器元件的位置处存在的磁场；以及至少一个沟槽，该沟槽从两个表面中的至少一个表面延伸到半导体衬底中。传感器元件在侧面与至少一个沟槽间隔开。
-
公开(公告)号：CN119706727A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411307804.6
申请日：2024-09-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及集成传感器装置。根据实施例，传感器装置包括芯片载体、安装在芯片载体上的半导体芯片以及半导体芯片的连接面与芯片载体的对应的连接面之间的电连接。传感器装置还包括布置在半导体芯片上的具有传感器元件的传感器芯片。传感器芯片具有沟槽，所述沟槽使传感器元件与其余的传感器芯片机械去耦。芯片壳体形成模制料，该模制料至少部分封装半导体芯片和电连接并且在传感器元件的区域中具有开口，使得该传感器元件可以与包围传感器装置的介质相互作用。模制料覆盖半导体芯片直至传感器芯片。
-
公开(公告)号：CN113526450B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202110294766.5
申请日：2021-03-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及具有透气罩的传感器装置及所属的制造方法。传感器装置包括具有MEMS结构的传感器芯片以及透气罩，其中MEMS结构布置在传感器芯片的主表面处，透气罩布置在传感器芯片的主表面上方，透气罩覆盖MEMS结构并在MEMS结构上方形成空腔。
-
公开(公告)号：CN119028057A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410629860.5
申请日：2024-05-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G07D7/10 , G07D7/1205
Abstract: 本发明涉及用于认证对象的方法和移动使用设备，该方法包括相对于包含超材料标记的对象定位毫米波收发器。由毫米波收发器朝超材料标记的方向发送发送信号，其中，基于超材料标记将发送信号转换为接收信号，该接收信号具有第一特性并且朝毫米波收发器的方向被辐射。接收信号由毫米波收发器接收并处理以检测第一特性。基于第一特性产生第一比较信息，并且执行对象基于第一比较信息的认证。
-
公开(公告)号：CN118419852A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410546642.5
申请日：2020-02-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： H·托伊斯
Abstract: 本公开内容涉及包括面板键合操作的方法和包括空腔的电子器件。一种方法包括：在第一气体环境中第一材料的第一面板键合到基底面板，其中在第一面板和基底面板之间形成封装第一气体环境的气体的多个密闭地密封的第一空腔。该方法进一步包括第二材料的第二面板键合到基底面板和第一面板中的至少一个，其中在第二面板与基底面板和第一面板中的至少一个之间形成多个第二空腔。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111326420B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201911133019.2
申请日：2019-11-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495 , G01D21/02
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及模制引线框传感器封装。提供的示例涉及传感器封装的模制引线框。示例传感器封装可以包括：模制引线框，包括位于模制引线框中的开口，其中开口从模制引线框的安装侧延伸到模制引线框的芯片侧，其中模制引线框的芯片侧与安装侧相对；以及传感器，安装至模制引线框的芯片侧。
-
公开(公告)号：CN116203479A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211466052.9
申请日：2022-11-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 传感器装置包括具有第一传感器元件的第一磁场传感器芯片，其第一磁场传感器芯片被设计成参考第一灵敏度方向检测在第一传感器元件位置处的第一磁场的第一分量。传感器装置还包括与第一磁场传感器芯片分离的、具有第二传感器元件的第二磁场传感器芯片，其中第二磁场传感器芯片被设计成参考第一灵敏度方向检测在所述第二传感器元件位置处的第二磁场的第一分量。传感器装置还包括电流导体，其被设计用于引导测量电流，其中通过测量电流在两个传感器元件的位置处感应出磁场。两个磁场传感器芯片和电流导体相对于彼此布置成使得均匀的杂散磁场对两个所检测的第一分量的影响在两个所检测的第一分量的差形成或和形成时被补偿。
-
公开(公告)号：CN111326420A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201911133019.2
申请日：2019-11-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495 , G01D21/02
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及模制引线框传感器封装。提供的示例涉及传感器封装的模制引线框。示例传感器封装可以包括：模制引线框，包括位于模制引线框中的开口，其中开口从模制引线框的安装侧延伸到模制引线框的芯片侧，其中模制引线框的芯片侧与安装侧相对；以及传感器，安装至模制引线框的芯片侧。
-
公开(公告)号：CN110223962A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910156470.X
申请日：2019-03-01
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/522 , H01L21/60
Abstract: 一种封装的半导体器件，包括半导体芯片和半导体封装。半导体封装包括：金属载体，其中半导体芯片布置在金属载体的主表面上；金属盖，该金属盖布置在金属载体上的主表面上，其中金属载体和金属盖构成空腔，并且半导体芯片布置在空腔内；连接导体，该连接导体穿过金属载体从金属载体的主表面延伸到半导体封装的主表面，其中该连接导体与金属载体电绝缘，并且与半导体芯片电连接；连接材料，该连接材料布置在连接导体的第一区域上，用于与外部电路板电和机械连接，其中至少连接导体从金属载体的主表面到连接导体的第一区域的延伸部分被一体地形成。
-
公开(公告)号：CN106017789B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201610104463.1
申请日：2016-02-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 一种模制成型的半导体封装结构包括：具有相反的第一和第二主表面的基板；半导体芯片，其附连到基板的第一主表面；粘附适配器，其附连到基板的第二主表面或半导体芯片的背向基板的表面；及模制化合物，其包封半导体芯片、粘附适配器、和基板的至少一部分。粘附适配器被构造成使模制化合物的粘附性能适配于附连有粘附适配器的基板或半导体芯片的粘附性能，使得模制化合物与直接粘附到附连有粘附适配器的基板或半导体芯片相比更强地粘附到粘附适配器。粘附适配器具有加强粘附适配器与模制化合物之间的粘附作用的表面特征。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
85
records
(took 0.033 seconds)
