发明授权
- 专利标题： 由碳化硅构成的半导体基板及其制造方法
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申请号： CN201780014638.2申请日： 2017-01-12
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公开(公告)号： CN108699726B公开(公告)日： 2021-05-14
- 发明人: 杉山尚宏
- 申请人： 株式会社电装
- 申请人地址： 日本爱知县
- 专利权人： 株式会社电装
- 当前专利权人： 株式会社电装
- 当前专利权人地址： 日本爱知县
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 周欣
- 优先权： 2016-042451 20160304 JP
- 国际申请： PCT/JP2017/000802 2017.01.12
- 国际公布： WO2017/149945 JA 2017.09.08
- 进入国家日期： 2018-08-31
- 主分类号： C30B29/36
- IPC分类号： C30B29/36 ; C30B25/20 ; H01L21/205
摘要：
本发明提供一种半导体基板，其具有SiC基板(1)及外延膜(2)，其中，使外延膜(2)的氢浓度相对于SiC基板(1)的氢浓度的浓度比成为0.2～5、优选0.5～2。由此，能够制成可抑制外延膜(2)与SiC基板(1)的边界位置处的氢的扩散、可抑制氢浓度的下降的半导体基板。因此，能够谋求使用半导体基板而形成的SiC半导体器件、例如pn二极管等双极器件的特性的提高。
公开/授权文献
- CN108699726A 由碳化硅构成的半导体基板及其制造方法 公开/授权日：2018-10-23
IPC分类:
