发明公开
- 专利标题: 磁通门传感器磁探头的制造方法
- 专利标题(英): Flux gate sensor magnetic probe manufacturing method
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申请号: CN201810363932.0申请日: 2018-04-22
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公开(公告)号: CN108761358A公开(公告)日: 2018-11-06
- 发明人: 王绪本 , 高嵩 , 李志鹏 , 樊业东 , 王彬宇 , 汪莹莹 , 曹彬
- 申请人: 成都理工大学
- 申请人地址: 四川省成都市成华区二仙桥东三路1号
- 专利权人: 成都理工大学
- 当前专利权人: 成都理工大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市成华区二仙桥东三路1号
- 代理机构: 成都科奥专利事务所
- 代理商 余丽生
- 主分类号: G01R33/02
- IPC分类号: G01R33/02
摘要:
本发明公开了一种磁通门传感器磁探头的制造方法,包括以下步骤:A、建立磁通门探头和反馈线圈的3D打印模型;B、打印探头的无磁骨架,C、将磁芯置入并固定在无磁骨架的空腔;D、在无磁骨架上绕制感应线圈、激励线圈;E、打印反馈线圈骨架,F、在反馈线圈骨架外壁的线圈槽中绕制漆包线,制成线圈;G、组装探头和反馈线圈,制成磁通门传感器磁探头。本发明提供一种灵活、可以调整工艺、针对不同模型都可快速加工出来的磁通门传感器磁探头的制造方法。
公开/授权文献
- CN108761358B 磁通门传感器磁探头的制造方法 公开/授权日:2021-07-23