- 专利标题: 一种QD-3D-QD发光层钙钛矿发光二极管及其制备方法
- 专利标题(英): Perovskite light-emitting diode with QD-3D-QD light-emitting layer and preparation method of perovskite light-emitting diode
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申请号: CN201810488486.6申请日: 2018-05-21
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公开(公告)号: CN108767125A公开(公告)日: 2018-11-06
- 发明人: 于军胜 , 王子君 , 吴梦鸽 , 张大勇
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金琼
- 主分类号: H01L51/50
- IPC分类号: H01L51/50 ; H01L51/52 ; H01L51/54 ; H01L51/56
摘要:
本发明公开了一种QD‑3D‑QD发光层钙钛矿发光二极管,所述QD‑3D‑QD发光层为量子点钙钛矿‑三维钙钛矿‑量子点钙钛矿,简称为QD‑3D‑QD结构,所述发光层的制备过程为:先旋涂一层量子点钙钛矿层,再在其上旋涂一层三维有机无机杂化钙钛矿,接着在这两层上再旋涂一层量子点钙钛矿,本发明适用于目前常用的两种钙钛矿发光二极管基本器件结构,衬底、阳极、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层和阴极,以及衬底阴极、电子传输层、钙钛矿发光层、空穴传输层和阳极。
公开/授权文献
- CN108767125B 一种QD-3D-QD发光层钙钛矿发光二极管及其制备方法 公开/授权日:2019-07-05