一种基于激光技术的柔性薄膜晶体管及其制备方法
摘要:
本发明涉及一种基于激光技术的柔性薄膜晶体管及其制备方法。本发明在柔性衬底基片上增加光学增反射膜层。同时在制备完有源层后,利用飞秒/皮秒激光辐照退火和刻蚀消融实现图形化和器件的独立,增反射膜层能有效回收利用反射激光能量,提高激光能量的使用效率,在低温下高效完成前驱体到氧化物的转变,兼有阻隔水汽、氧对有源层影响的功能,快速低温实现柔性薄膜晶体管制备。有源层和绝缘层均可采用卷对卷或印刷方式制备,工艺简单、快速,而氧化物有源层可以采用飞秒/皮秒激光刻蚀和辐照退火方式实现半导体功能,其操作快速准确,高效率,高度可重复性,获得器件的尺寸较小,器件性能一致性好,有利于节约成本及大面积生产。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件(H01L31/00至H01L47/00,H01L51/05优先;除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00;由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00)
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的(H01L29/96优先)
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786 ......薄膜晶体管
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