公开(公告)号：CN109686796A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201910173950.7

申请日：2019-03-08

申请人： 福州大学

发明人： 陈惠鹏 ,  郭太良 ,  陈赐海 ,  张国成

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/268 ,  H01L29/66742

摘要： 本发明涉及一种基于激光技术的柔性薄膜晶体管及其制备方法。本发明在柔性衬底基片上增加光学增反射膜层。同时在制备完有源层后，利用飞秒/皮秒激光辐照退火和刻蚀消融实现图形化和器件的独立，增反射膜层能有效回收利用反射激光能量，提高激光能量的使用效率，在低温下高效完成前驱体到氧化物的转变，兼有阻隔水汽、氧对有源层影响的功能，快速低温实现柔性薄膜晶体管制备。有源层和绝缘层均可采用卷对卷或印刷方式制备，工艺简单、快速，而氧化物有源层可以采用飞秒/皮秒激光刻蚀和辐照退火方式实现半导体功能，其操作快速准确，高效率，高度可重复性，获得器件的尺寸较小，器件性能一致性好，有利于节约成本及大面积生产。

公开(公告)号：CN106129247B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201610768689.1

申请日：2016-08-31

申请人： 福州大学

发明人： 陈惠鹏 ,  郭太良 ,  张军 ,  张国成 ,  陈赐海 ,  杨辉煌

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/40

摘要： 本发明涉及一种通过双交联反应对有机薄膜晶体管绝缘层优化的方法，提供一有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管包括自下而上依次设置的基底、绝缘层、有源层以及源漏电极；绝缘层通过采用溶液法，并利用旋涂工艺或刮涂工艺在基底中的栅极上形成绝缘层膜后，将液态有机小分子单体溶液渗入该绝缘层中，并经过UV光处理，使所述小分子单体溶液中的小分子单体聚合固化嵌入绝缘层的网状结构中，进行对绝缘层表面改性。本发明提出的绝缘层表面改性的方法，其操作方法简单、方便、改性效果明显，能有效降低了有机薄膜晶体管的漏电流并提高了有机薄膜晶体管的迁移率。

公开(公告)号：CN106129247A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610768689.1

申请日：2016-08-31

申请人： 福州大学

发明人： 陈惠鹏 ,  郭太良 ,  张军 ,  张国成 ,  陈赐海 ,  杨辉煌

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/40

摘要： 本发明涉及一种通过双交联反应对有机薄膜晶体管绝缘层优化的方法，提供一有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管包括自下而上依次设置的基底、绝缘层、有源层以及源漏电极；绝缘层通过采用溶液法，并利用旋涂工艺或刮涂工艺在基底中的栅极上形成绝缘层膜后，将液态有机小分子单体溶液渗入该绝缘层中，并经过UV光处理，使所述小分子单体溶液中的小分子单体聚合固化嵌入绝缘层的网状结构中，进行对绝缘层表面改性。本发明提出的绝缘层表面改性的方法，其操作方法简单、方便、改性效果明显，能有效降低了有机薄膜晶体管的漏电流并提高了有机薄膜晶体管的迁移率。

公开(公告)号：CN108831930A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810653932.4

申请日：2018-06-22

申请人： 福州大学

发明人： 陈惠鹏 ,  郭太良 ,  陈赐海 ,  张国成

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/268

摘要： 本发明涉及一种基于激光技术的柔性薄膜晶体管及其制备方法。本发明在柔性衬底基片上增加光学增反射膜层。同时在制备完有源层后，利用飞秒/皮秒激光辐照退火和刻蚀消融实现图形化和器件的独立，增反射膜层能有效回收利用反射激光能量，提高激光能量的使用效率，在低温下高效完成前驱体到氧化物的转变，兼有阻隔水汽、氧对有源层影响的功能，快速低温实现柔性薄膜晶体管制备。有源层和绝缘层均可采用卷对卷或印刷方式制备，工艺简单、快速，而氧化物有源层可以采用飞秒/皮秒激光刻蚀和辐照退火方式实现半导体功能，其操作快速准确，高效率，高度可重复性，获得器件的尺寸较小，器件性能一致性好，有利于节约成本及大面积生产。