- 专利标题: 用于形成互连的垂直沟道器件和半导体结构的方法
-
申请号: CN201810456409.2申请日: 2018-05-14
-
公开(公告)号: CN108878365B公开(公告)日: 2023-10-17
- 发明人: J·博迈尔斯
- 申请人: IMEC 非营利协会
- 申请人地址: 比利时勒芬
- 专利权人: IMEC 非营利协会
- 当前专利权人: IMEC 非营利协会
- 当前专利权人地址: 比利时勒芬
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 钱盛赟; 杨洁
- 主分类号: H01L21/8238
- IPC分类号: H01L21/8238 ; H01L27/092 ; H10B10/00
摘要:
根据本发明的概念的一方面,提供了一种用于在半导体结构上形成互连的垂直沟道器件的方法,该互连的垂直沟道器件包括从第一底电极区延伸的第一垂直沟道结构以及从第二底电极区延伸的第二垂直沟道结构,第一和第二垂直沟道结构从覆盖第一和第二底电极区的介电层突出,该方法包括:形成露出第一底电极区的第一孔洞以及露出第二底电极区的第二孔洞,第一和第二孔洞垂直延伸穿过介电层,以及在介电层上形成包括分立图案部分的集合的导电图,其中形成该导电图包括:形成第一图案部分,该第一图案部分包括包裹在第一垂直沟道结构的突出部周围的第一栅部、被布置在第二孔洞中的第一底电极接触部、以及在第一底电极接触部与第一栅部之间延伸的第一交叉耦合部,以及形成第二图案部分,该第二图案部分包括包裹在第二垂直沟道结构的突出部周围的第二栅部、被布置在第一孔洞中的第二底电极接触部、以及在第二底电极接触部与第二栅部之间延伸的第二交叉耦合部。
公开/授权文献
- CN108878365A 用于形成互连的垂直沟道器件和半导体结构的方法 公开/授权日:2018-11-23