发明授权
- 专利标题： 半导体结构及其操作方法
-
申请号： CN201710367366.6申请日： 2017-05-23
-
公开(公告)号： CN108933120B公开(公告)日： 2020-06-30
- 发明人: 陈永初
- 申请人： 旺宏电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- 专利权人： 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人： 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 任岩
- 主分类号： H01L23/60
- IPC分类号： H01L23/60 ; H01L27/02
摘要：
一种半导体结构，包括第一防护环与第二防护环。第一防护环位于基底中。第一防护环包括交替排列的多个第一掺杂区与多个第二掺杂区。第一掺杂区与第二掺杂区互为不同导电型。第二防护环位于第一防护环旁。第二防护环包括交替排列的多个第三掺杂区与多个第四掺杂区以及多个掩模层。各第三掺杂区对应于各第二掺杂区。各第四掺杂区对应于各第一掺杂区。第三掺杂区与第一掺杂区为相同导电型且交错配置。掩模层分别配置于第三掺杂区与第四掺杂区之间的基底上。
公开/授权文献
- CN108933120A 半导体结构及其操作方法 公开/授权日：2018-12-04
IPC分类:
