本发明公开了具有金属氧化物/二氧化硅叠栅的GaN基MOS‐HEMT器件及其制备方法；该器件包括AlGaN/GaN异质结外延层、第一栅介质层、第二栅介质层、栅电极和源漏电极；第一栅介质层为覆盖在AlGaN/GaN异质结外延层上的SiO2薄膜，第一栅介质层的厚度为5‐15nm；第二栅介质层为覆盖在第一栅介质层上的金属氧化物薄膜，第二栅介质层的厚度为5‐15nm；本发明采用金属氧化物/SiO2的叠层介质结构，减小了磁控溅射沉积高介电常数氧化物介质对外延的损伤，使其适用于GaN基HEMT器件的制备；同时弥补了SiO2介电常数低的缺陷，使器件整体栅极控制能力提高且有效降低了栅极漏电。