本发明公开了一种具有光学栅极的锗沟道场效应晶体管器件及其制造方法。首先在衬底上沉积锗薄膜，并通过掺杂在锗薄膜中形成源漏区域及沟道区域；其次在锗薄膜上沉积栅绝缘层，刻蚀沟道区域表面的栅绝缘层，并残留一定厚度；在栅绝缘层上沉积非晶硅薄膜，刻蚀非晶硅薄膜形成光波导结构作为光学栅极；在栅绝缘层和非晶硅光学栅极表面沉积保护绝缘层；最后刻蚀保护绝缘层形成接触通孔，在接触通孔中沉积接触电极，形成具有光学栅极的锗沟道场效应晶体管器件。本发明器件具有开启速度快、功耗低等优势，在高速逻辑器件以及超大规模集成电路等领域有广阔的应用前景。