公开(公告)号：CN118842181A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410853775.7

申请日：2024-06-28

申请人： 河南许继仪表有限公司

发明人： 贾海青 ,  吴莉莉 ,  徐景涛 ,  张志颖 ,  郭权 ,  杨锦业 ,  刘志宏 ,  王占通 ,  刘晓辉 ,  崔艳华 ,  韦新志 ,  石凯明 ,  刘兴旺 ,  常博 ,  葛娟

IPC分类号： H02J13/00 ,  H04W4/80 ,  G06Q10/20 ,  G06Q50/06 ,  G01D21/02 ,  H01L31/036 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0216 ,  H02J3/38 ,  H02J3/46

摘要： 本申请涉及光伏发电技术领域，公开了基于蓝牙通信的低压分布式光伏数字化运维方法，包括以下步骤：步骤一、设置多个低压分布式光伏发电系统，每个系统包含光伏组件、逆变器、控制器以及蓝牙通信模块；步骤二、通过蓝牙通信模块，利用蓝牙低功耗协议将各光伏发电系统的运行数据实时传输至中央运维平台，所述蓝牙通信模块配置有动态信道切换机制，以减少干扰并提高数据传输的稳定性。通过蓝牙低功耗协议和动态信道切换机制，确保了各光伏发电系统的运行数据能够稳定地实时传输至中央运维平台，对接收到的数据进行处理和分析，生成高准确性的性能评估提高了整体系统的发电效率和稳定性。

公开(公告)号：CN118272910B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410693014.X

申请日：2024-05-31

申请人： 天合光能股份有限公司

发明人： 孙文明 ,  马玉花 ,  仝斌

IPC分类号： C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  H01L31/028 ,  H01L31/04

摘要： 本申请提供了一种单晶硅棒及其制备方法和硅片、太阳能电池、光伏组件。单晶硅棒中包括掺杂元素，掺杂元素的饱和固溶度大于或等于5E+19cm‑3，且掺杂元素的掺杂浓度范围为8E+14cm‑3至3E+16cm‑3。制备方法包括如下步骤：对硅原料进行熔化，以得到熔化后的硅液，且在熔化的过程中，保持炉压为初始炉压值；对硅液进行掺杂，且在进行掺杂的同时，将炉压升高至炉压最高值；以及在等径生长阶段，控制炉压由炉压最高值开始下降，直至达到初始炉压值。本申请的单晶硅棒及其制备方法和硅片、太阳能电池、光伏组件，可以使单晶硅棒及其衍生产物的电阻率更加均匀集中。

公开(公告)号：CN118588780A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410541372.9

申请日：2024-04-30

申请人： 四川恒立聚能光电科技有限公司

发明人： 李世彬 ,  袁世豪 ,  马晨曦 ,  徐其恩 ,  张婷 ,  赵巍 ,  钱峰 ,  王磊

IPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及光伏电池技术领域，提供了一种笼型硅电池及其制备方法，所述笼型硅电池包含第一电极层；笼型硅层，设置在所述第一电极层的顶面；空穴传输层，设置在所述笼型硅层的顶面；第二电极层，设置在所述空穴传输层的顶面。使用该电池，能解决现有晶硅电池的带隙均为间接带隙，存在光吸收效率低、光谱响应范围窄、温度系数为负值而限制了晶硅电池在高温环境中的应用等问题。笼型硅层具有更宽的带隙，笼型硅层可以更有效地吸收高能量的光子，提高太阳能电池的转换效率，笼型硅太阳能电池在高温环境下能够表现出更好的性能稳定性，减少因温度升高而导致的效率下降。

公开(公告)号：CN110875403B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN201910675680.X

申请日：2019-07-25

申请人： 波音公司

发明人： E·Y·禅

IPC分类号： H01L31/108 ,  H01L31/028 ,  G02B6/42

摘要： 本申请涉及通用宽带光检测器设计和制造方法。一种宽光谱带宽光检测器，该检测器设计用于在不同的航空电子网络和传感器中使用的所有类型的光纤，以及用于制造这种光检测器的方法。提供了肖特基势垒光检测器，该检测器包括锗，其对在紫外至近红外范围(220至1600nm)内的光具有宽的光谱响应。提供具有宽光谱响应的光检测器避免了在具有不同光纤网络和传感器的航空电子平台中使用多种不同类型的光检测器和接收器。

公开(公告)号：CN114927596B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202210555083.5

申请日：2022-05-20

申请人： 重庆理工大学

发明人： 冯文林 ,  杨晓占 ,  熊郭亮 ,  肖浏

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/109

摘要： 本发明公开了一种MXene/n‑Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法，获取Ti3C2Tx胶体溶液，以及掺有Sb的n‑Ge衬底，清除n‑Ge衬底表面杂质，然后将Ti3C2Tx胶体溶液覆在n‑Ge衬底上，在室温下干燥至恒重后形成Ti3C2Tx膜层使得Ti3C2Tx膜层与n‑Ge衬底形成肖特基异质结。本发明还公开了一种通过上述方法制得而成的MXene/n‑Ge高速宽带自供电光电探测器，该探测器结构简单，工作稳定，检测效果好，响应时间极快，精度和可靠性高，还具有体积小、重量轻的优点，另外传感器制作容易，成本低廉。

公开(公告)号：CN118448500A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410423756.0

申请日：2024-04-09

申请人： 西北核技术研究所

发明人： 张海飞 ,  陈伟 ,  陈伟 ,  王泽平 ,  王潇 ,  王立皓 ,  龙斌

IPC分类号： H01L31/103 ,  H01L31/024 ,  H01L31/18 ,  H01L31/028

摘要： 本发明提供了一种新型封装结构的硅探测器元器件及其制备方法，元器件包括：设置在陶瓷衬底的工作区上的硅晶圆片、贴片、键合金丝、两级电制冷片和若干个插针管脚；所述硅晶圆片、贴片和焊盘附着在所述陶瓷衬底的正面，所述若干个插针管脚分布在所述陶瓷衬底的背面，所述前置放大器印制电路板与所述若干个插针管脚匹配连接，所述两级电制冷片粘接在陶瓷衬底背面的空白处；所述陶瓷衬底的工作区边长小于陶瓷衬底的边长。本发明解决了现有技术中硅探测器陶瓷衬底无法与测量腔室耦合封装的困难。

公开(公告)号：CN118431328A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410896719.1

申请日：2024-07-05

申请人： 国科大杭州高等研究院

发明人： 刘柳平 ,  倪胜 ,  张东海 ,  刘昌龙 ,  朱烽艺 ,  朱禹琳 ,  张拾 ,  刘德磊 ,  张力波 ,  李冠海 ,  陈效双

IPC分类号： H01L31/09 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/028

摘要： 本发明提供的具有全光调控放大响应的超宽带探测器件及其应用，所述探测器件在覆盖氧化硅的硅衬底上依次转移黑磷层、石墨烯层和硒化铟层构成三明治结构，制备四叶草天线的四端电极以及相应的引线电极，四叶草天线的四端电极包括第一成对电极和第二成对电极，最后，在三明治结构与四叶草天线之上转移覆盖氮化硼绝缘层保护器件，防止器件导电沟道氧化。本发明的全光调控放大响应的超宽带探测器件及其应用，为实现复杂环境下微弱信号室温、集成化、高灵敏度、自适应、超宽带探测奠定了器件设计结构与光电转换理论基础。

公开(公告)号：CN118422332A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410511835.7

申请日：2024-04-26

申请人： 天合光能股份有限公司

发明人： 杨楠 ,  王尧 ,  林思 ,  陈奕峰 ,  于涛 ,  殷丽 ,  陈茁 ,  郭扬

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B28/14 ,  H01L31/028 ,  H01L31/04

摘要： 本发明提供了一种掺杂多晶硅的制备方法、单晶硅的制备方法和太阳能电池，包括根据目标电阻率，确定掺杂元素的浓度；根据掺杂元素的浓度和掺杂多晶硅制备量，确定掺杂元素的平均量和含硅元素材料的第一用量；根据平均量和含掺杂元素材料的类型，确定含掺杂元素材料的第二用量；基于含硅元素材料的第一用量和含掺杂元素材料的第二用量，制备与目标电阻率对应的掺杂多晶硅。这样，由于所使用的含掺杂元素材料中已经将掺杂元素按照需求的平均量进行分布，得到的掺杂多晶硅中掺杂元素也相对均匀，从而在制备单晶硅时，不再需要进行母合金的投入，过程相对简单，且得到的熔融硅液中掺杂元素的均匀度较好，使得单晶硅电阻率分布更加均匀。

公开(公告)号：CN109037363B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN201810816451.0

申请日：2018-07-24

申请人： 浙江爱旭太阳能科技有限公司 ,  广东爱旭科技股份有限公司

发明人： 林纲正 ,  丰明璋 ,  方结彬 ,  陈刚

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/04

摘要： 本发明公开了具有防断栅功能的晶硅太阳能电池的正电极，包括正电极主栅、正电极细栅和防断栅结构，所述的防断栅结构和正电极细栅一体印刷成型，所述的防断栅结构为背面开设有镂空槽的八边形，防断栅结构由位于中部的矩形栅段以及位于矩形栅段两侧的且以矩形栅段为中心对称设置的两段等腰梯形栅段组成，所述的矩形栅段横跨正电极主栅，且矩形栅段左右两端伸出正电极主栅之外，伸出的栅段为矩形的外延防断栅段，所述的等腰梯形栅段的两端分别与外延防断栅段和正电极细栅相接触，所述的镂空槽位于等腰梯形栅段内或者横跨外延防断栅段与等腰梯形栅段。该正电极中的防断栅设计采用八边形和镂空槽相结合，可以有效降低正面电极印刷时断栅的几率。

公开(公告)号：CN118281021A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410683570.9

申请日：2024-05-30

申请人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

发明人： 苗渊浩 ,  亨利·H·阿达姆松

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/028 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

摘要： 本申请属于半导体技术领域，公开了一种基于硅锗多雪崩层的锗系SPADs传感器及其制备方法，传感器包括：读出电路、N型电极、P型电极、钝化层和平面传感器晶圆；平面传感器晶圆包括依次叠加的N型重掺杂Si层、硅锗多雪崩层、P型电荷层、传感层和P型重掺杂锗层，以及多个以第二预设间隔分布的凹槽；钝化层覆盖在P型重掺杂锗层和各凹槽的内壁上；P型电极连接P型重掺杂锗层；N型电极设于第二凹槽内，并与N型重掺杂Si层连接；读出电路分别连接N型电极和P型电极。本申请能够降低器件的工作电压、暗电流和器件的暗计数率，提升雪崩增益。