- 专利标题: 表面渐变散射型包层光功率剥离器制备装置及方法
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申请号: CN201811018791.5申请日: 2018-08-31
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公开(公告)号: CN109031525B公开(公告)日: 2019-08-09
- 发明人: 林学春 , 邹淑珍 , 陈寒 , 孙静 , 于海娟 , 张志研 , 王奕博
- 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人: 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人: 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 李坤
- 主分类号: G02B6/245
- IPC分类号: G02B6/245 ; H01S3/067
摘要:
本公开提供了一种表面渐变散射型包层光功率剥离器制备装置及方法,其中制备装置包括:反应筒、固定架、注入孔和流量计;反应筒底端设有连接孔,待腐蚀光纤穿过连接孔,且与反应筒底端密封连接;待腐蚀光纤与固定架连接;注入孔设置在反应筒上;装有腐蚀液的容器通过管路与注入孔相连,将腐蚀液注入反应筒中,管路上还设置有流量计。本公开提供的渐变腐蚀装置根据待腐蚀光纤剥离区间内,沿激光传输方向,包层表面的腐蚀时间沿待腐蚀光纤轴向连续地由小增大,对应包层表面的结晶体颗粒密度逐渐增大,以实现包层光散射率逐渐增大的效果。
公开/授权文献
- CN109031525A 表面渐变散射型包层光功率剥离器制备装置及方法 公开/授权日:2018-12-18