发明授权
- 专利标题: 一种阵列基板的制备方法
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申请号: CN201810827393.1申请日: 2018-07-25
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公开(公告)号: CN109037151B公开(公告)日: 2020-02-07
- 发明人: 吴伟
- 申请人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号
- 专利权人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
- 当前专利权人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号
- 代理机构: 深圳汇智容达专利商标事务所
- 代理商 潘中毅; 熊贤卿
- 主分类号: H01L21/77
- IPC分类号: H01L21/77 ; H01L27/12
摘要:
本发明提供一种阵列基板的制备方法,包括衬底基板,其上依序制作出栅极、栅绝缘层和半导体层,然后在栅绝缘层和半导体层上沉积第二金属层并涂布光阻层,接着利用一道光罩制程形成源漏极,且使得光阻层在源漏极上还保留部分光阻区域,并待覆盖保护层后通过光阻剥离工艺剥离源漏极上所保留的部分光阻区域,以将源漏极上所保留的部分光阻上的保护层带走,形成过孔,再在保护层上形成像素电极通过过孔与源漏极实现电连通,从而节省了制作保护层通孔的一道光罩。实施本发明,通过在传统的阵列基板的制备工艺上节省含有曝光显影的工艺制程的数量来达到节省制作成本的目的。
公开/授权文献
- CN109037151A 一种阵列基板的制备方法 公开/授权日:2018-12-18
IPC分类: