发明公开
- 专利标题: 具有纳米图案浅凹表面的种植体及其制造方法
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申请号: CN201780026242.X申请日: 2017-05-08
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公开(公告)号: CN109069690A公开(公告)日: 2018-12-21
- 发明人: 金杜宪
- 申请人: 韩国电气研究院
- 申请人地址: 韩国庆尚南道
- 专利权人: 韩国电气研究院
- 当前专利权人: 韩国电气研究院
- 当前专利权人地址: 韩国庆尚南道
- 代理机构: 北京金信知识产权代理有限公司
- 代理商 严彩霞; 李雪芹
- 优先权: 10-2016-0060719 2016.05.18 KR
- 国际申请: PCT/KR2017/004776 2017.05.08
- 国际公布: WO2017/200231 KO 2017.11.23
- 进入国家日期: 2018-10-26
- 主分类号: A61L27/06
- IPC分类号: A61L27/06 ; A61L27/30 ; A61C8/00 ; C25D11/26
摘要:
本发明涉及一种具有纳米图案浅凹表面的种植体及其制造方法,其特征在于,包括:通过对由钛金属或钛合金制成的种植体主体进行阳极氧化而形成氧化钛纳米管的步骤;以及,通过对上述氧化钛纳米管进行去除而在上述种植体主体的表面形成浅凹的步骤。借此,能够通过在对种植体主体的表面进行阳极氧化之后再对阳极氧化的表面进行去除而在其表面形成浅凹,同时能够通过使阳极氧化的钛氧化膜剥落而防止其落入生物体内部,且能够对表面所残留的杂质进行有效去除。此外,能够借助于钛或钛合金作为种植体主体的原材料的使用并通过表面阳极氧化而形成的浅凹,将移植到生物体内部时的表面积最大化,从而提供优秀的生物相容性、化学稳定性以及机械稳定性,而且能够通过在执行喷砂或SLA(Sand blasted,Large-grit,Acid etched)工艺的同时执行阳极氧化而形成包括纳米图案的不同大小浅凹。