Invention Publication
- Patent Title: 致密的二氧化硅质膜形成用组合物
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Application No.: CN201780026971.5Application Date: 2017-04-28
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Publication No.: CN109072006APublication Date: 2018-12-21
- Inventor: 野岛由雄 , 小林政一
- Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
- Applicant Address: 卢森堡国卢森堡市
- Assignee: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
- Current Assignee: 默克专利有限公司
- Current Assignee Address: 德国达姆施塔特
- Agency: 北京三幸商标专利事务所
- Agent 刘卓然
- Priority: 2016-092672 2016.05.02 JP
- International Application: PCT/EP2017/060190 2017.04.28
- International Announcement: WO2017/191049 EN 2017.11.09
- Date entered country: 2018-10-31
- Main IPC: C09D183/16
- IPC: C09D183/16

Abstract:
[目的]提供一种含聚硅氮烷的覆膜形成用组合物。为了形成具有加工性且致密的二氧化硅质膜,对该组合物进行基于二阶段转化的加工,所述二阶段转化包括:通过将聚硅氮烷组合物在朝向二氧化硅质物质的转化不充分的状态下形成表面干燥了的膜;然后接受二次加工。[手段]本发明提供一种含聚硅氮烷的覆膜形成用组合物,其包含特定的胺类化合物、聚硅氮烷化合物以及溶剂,本发明还提供一种二氧化硅质物质的形成方法,其中,将该组合物涂布于基材上,转化为二氧化硅质物质。该特定的胺类化合物具有二个胺基,在胺基中具有至少1个由苯基取代了的烃基。
Public/Granted literature
- CN109072006B 致密的二氧化硅质膜形成用组合物 Public/Granted day:2021-07-27
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