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公开(公告)号：CN105103053B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201480010383.9
申请日：2014-03-14
申请人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC分类号： G03F7/40 , H01L21/027
摘要： 本发明提供一种可形成表面皲裂少的微细的负型光致抗蚀图案的组合物、以及使用该组合物的图案形成方法。一种组合物，其为微细图案形成用组合物，该微细图案形成用组合物在使用化学放大型正型光致抗蚀组合物而形成正型抗蚀图案的方法中，用于通过使抗蚀图案变粗而使图案微细化，其特征在于：包含在重复单元中包含氨基的聚合物、溶剂以及酸。可通过在显影后的正型光致抗蚀图案上涂布该组合物，并进行加热，从而形成微细的图案。
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公开(公告)号：CN109971344A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910073632.3
申请日：2014-09-16
申请人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC分类号： C09D183/14 , C09D183/16 , C09D7/63 , B05D3/04 , B05D3/06 , B05D7/04 , C08J7/04 , C08L67/02
摘要： 【课题】本发明提供一种可形成气体阻隔性能优异的覆膜的覆膜形成用组合物和覆膜形成方法。【解决方案】一种覆膜形成用组合物，其特征在于包含不含羟基或者羧基的聚硅氧烷、聚硅氮烷和有机溶剂；以及一种覆膜形成方法，其包含将该组合物涂布于基板的工序以及进行曝光的工序。
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公开(公告)号：CN104718030B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380052701.3
申请日：2013-10-09
申请人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC分类号： B05D7/24 , B05D3/06 , B32B9/00 , C01B21/068 , C08J7/00
摘要： 本发明提供一种硅质致密膜及其形成方法。一种硅质致密膜的形成方法、以及通过该方法而形成的硅质致密膜，该方法包含如下工序：用包含具有硅氮烷键的聚合物的覆膜形成用组合物在基板上进行涂膜，照射最大峰波长为160～179nm的光，接着用最大峰波长比之前所照射的光的最大峰波长还长10～70nm的光进行照射。
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公开(公告)号：CN104718030A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201380052701.3
申请日：2013-10-09
申请人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC分类号： B05D7/24 , B05D3/06 , B32B9/00 , C01B21/068 , C08J7/00
摘要： 本发明提供一种硅质致密膜及其形成方法。一种硅质致密膜的形成方法、以及通过该方法而形成的硅质致密膜，该方法包含如下工序：用包含具有硅氮烷键的聚合物的覆膜形成用组合物在基板上进行涂膜，照射最大峰波长为160～179nm的光，接着用最大峰波长比之前所照射的光的最大峰波长还长10～70nm的光进行照射。
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公开(公告)号：CN109072006A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780026971.5
申请日：2017-04-28
申请人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC分类号： C09D183/16
摘要： [目的]提供一种含聚硅氮烷的覆膜形成用组合物。为了形成具有加工性且致密的二氧化硅质膜，对该组合物进行基于二阶段转化的加工，所述二阶段转化包括：通过将聚硅氮烷组合物在朝向二氧化硅质物质的转化不充分的状态下形成表面干燥了的膜；然后接受二次加工。[手段]本发明提供一种含聚硅氮烷的覆膜形成用组合物，其包含特定的胺类化合物、聚硅氮烷化合物以及溶剂，本发明还提供一种二氧化硅质物质的形成方法，其中，将该组合物涂布于基材上，转化为二氧化硅质物质。该特定的胺类化合物具有二个胺基，在胺基中具有至少1个由苯基取代了的烃基。
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公开(公告)号：CN105555886A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480050972.X
申请日：2014-09-16
申请人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC分类号： C09D183/04 , C08J7/04 , C09D183/14 , C09D183/16
CPC分类号： C09D183/14 , B05D3/0486 , B05D3/066 , B05D3/067 , B05D7/04 , C08G77/26 , C08G77/62 , C08J7/047 , C08J2383/16 , C08J2483/04 , C08J2483/08 , C09D183/16 , C08L83/00 , C08K5/05
摘要： 本发明提供一种可形成气体阻隔性能优异的覆膜的覆膜形成用组合物和覆膜形成方法。一种覆膜形成用组合物，其特征在于包含不含羟基或者羧基的聚硅氧烷、聚硅氮烷和有机溶剂；以及一种覆膜形成方法，其包含将该组合物涂布于基板的工序以及进行曝光的工序。
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公开(公告)号：CN109072006B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201780026971.5
申请日：2017-04-28
申请人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC分类号： C09D183/16
摘要： [目的]提供一种含聚硅氮烷的覆膜形成用组合物。为了形成具有加工性且致密的二氧化硅质膜，对该组合物进行基于二阶段转化的加工，所述二阶段转化包括：通过将聚硅氮烷组合物在朝向二氧化硅质物质的转化不充分的状态下形成表面干燥了的膜；然后接受二次加工。[手段]本发明提供一种含聚硅氮烷的覆膜形成用组合物，其包含特定的胺类化合物、聚硅氮烷化合物以及溶剂，本发明还提供一种二氧化硅质物质的形成方法，其中，将该组合物涂布于基材上，转化为二氧化硅质物质。该特定的胺类化合物具有二个胺基，在胺基中具有至少1个由苯基取代了的烃基。
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公开(公告)号：CN107532003A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680022579.9
申请日：2016-03-23
申请人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC分类号： C08L83/16 , C08K5/5425 , C09D183/16 , C08G77/62 , C08K5/544 , C08K5/5419 , C08L83/00
CPC分类号： C08G77/62 , C08J3/28 , C08J5/18 , C08J2383/16 , C08K5/5419 , C08K5/5425 , C08K5/544 , C08L83/16 , C08L2201/14 , C08L2203/16 , C09D183/14 , C09D183/16 , C08L83/00
摘要： 本发明提供一种可形成气体阻隔性能优异的覆膜的覆膜形成用组合物和覆膜形成方法。一种覆膜形成用组合物，其特征在于，其包含利用曝光与聚硅氮烷进行反应的特定的硅化合物、聚硅氮烷、以及有机溶剂；一种覆膜形成方法，其包含如下的工序：将该组合物涂布于基板，进行曝光。
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公开(公告)号：CN105103053A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480010383.9
申请日：2014-03-14
申请人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC分类号： G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08L33/14 , C09D139/04 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/094 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01L21/0274 , H01L21/76816
摘要： 本发明提供一种可形成表面皲裂少的微细的负型光致抗蚀图案的组合物、以及使用该组合物的图案形成方法。一种组合物，其为微细图案形成用组合物，该微细图案形成用组合物在使用化学放大型正型光致抗蚀组合物而形成正型抗蚀图案的方法中，用于通过使抗蚀图案变粗而使图案微细化，其特征在于：包含在重复单元中包含氨基的聚合物、溶剂以及酸。可通过在显影后的正型光致抗蚀图案上涂布该组合物，并进行加热，从而形成微细的图案。
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