发明公开
- 专利标题: 一种压接型IGBT器件的短路失效测试方法及装置
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申请号: CN201810572017.2申请日: 2018-06-01
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公开(公告)号: CN109100629A公开(公告)日: 2018-12-28
- 发明人: 张朋 , 唐新灵 , 石浩 , 田丽纷 , 王亮 , 李现兵 , 张喆 , 武伟 , 林仲康 , 韩荣刚
- 申请人: 全球能源互联网研究院有限公司
- 申请人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 专利权人: 全球能源互联网研究院有限公司
- 当前专利权人: 全球能源互联网研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 代理机构: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理商 马永芬
- 主分类号: G01R31/26
- IPC分类号: G01R31/26
摘要:
本发明公开一种压接型IGBT器件的短路失效测试方法及装置,其中方法包括:获取待测压接型IGBT器件在短路失效状态下的第一电压和第一电流,第一电压为待测压接型IGBT器件的集电极与发射极之间的电压,第一电流为待测压接型IGBT器件的集电极电流;根据第一电压和第一电流,计算待测压接型IGBT器件在短路失效状态下的失效电阻;在待测IGBT器件发生短路失效后的预设时间内获取失效电阻的变化率;根据失效电阻的变化率确定待测压接型IGBT器件的短路失效特性。本发明通过短路失效测试可以确定出待测压接型IGBT器件的失效电阻的电阻变化率,进而可以评估待测压接型IGBT器件的短路失效特性,可实现待测压接型IGBT器件投入到电力系统中进行可靠运行,并可以增强其使用寿命。