公开(公告)号：CN111368464B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202010340549.0

申请日：2020-04-26

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 林仲康 ,  潘艳 ,  韩荣刚 ,  唐新灵 ,  吴军民 ,  金锐 ,  张朋 ,  李现兵 ,  王亮

IPC分类号： G06F30/20 ,  G06F115/12

摘要： 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置，所述方法包括：将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置；获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据，所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据；获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据，所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据；将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配，所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片；计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差；随机更换所述多个目标芯片，以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。

公开(公告)号：CN115561602A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202110745843.4

申请日：2021-07-01

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 代安琪 ,  石浩 ,  王亮

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供一种压接型IGBT子模组测试适配器及测试设备，压接型IGBT子模组测试适配器包括下夹具；下夹具包括：导电基板，导电基板中具有定位孔阵列，定位孔阵列包括若干个分立的定位孔；定位组件，定位组件包括导电适配件，导电适配件适于放置于定位孔阵列上，导电适配件中设置有第一凹槽，第一凹槽适于放置待测子模组；第一紧固件，第一紧固件适于贯穿第一凹槽侧部的导电适配件并延伸在至少部分个定位孔中。当待测子模组的结构发生变化时无需对整个适配器的结构进行重新设计，提高了适配器的通用性，从而降低了测试成本并缩短了测试时间。

公开(公告)号：CN111579958A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010431615.5

申请日：2020-05-20

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网湖北省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 唐新灵 ,  吴军民 ,  赛朝阳 ,  张朋 ,  王亮 ,  林仲康 ,  杜玉杰 ,  张西子

IPC分类号： G01R31/26 ,  H02H7/22

摘要： 本发明公开了一种IGBT开关特性测试电路及测试方法，测试电路包括负载电感电路和直流母线电源，所述直流母线电源与所述负载电感电路以及被测IGBT器件串联；第一开关器件，连接在所述直流母线电源的正极与所述负载电感电路的输出端之间，用于切断或者接通直流母线；电阻R1，第一端连接所述第一开关器件的低压端，第二端与负载电感电路的输入端连接，用于在所述被测IGBT器件和/或所述第一开关器件和/或所述负载电感电路失效时，吸收所述直流母线电源的电量。本发明通过增加了第一开关器件和电阻R1，实现器件测试完成后切断直流母线电容能量释放通道，以及吸收直流母线释放的能量，降低器件失效后烧毁程度，防止失效器件爆炸。

公开(公告)号：CN111487520A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010345768.8

申请日：2020-04-27

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  华北电力大学

发明人： 孙帅 ,  张喆 ,  吴军民 ,  金锐 ,  韩荣刚 ,  杜玉杰 ,  张西子 ,  王亮 ,  赵志斌 ,  李学宝

IPC分类号： G01R31/28

摘要： 本发明涉及电力电子器件技术领域，具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中，方法包括：获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值；调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数，每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系；利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值，按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流，解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。

公开(公告)号：CN111458603A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010257676.4

申请日：2020-04-03

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  华北电力大学 ,  国家电网有限公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院

发明人： 邢照亮 ,  张卓 ,  张翀 ,  陈新 ,  李东亮 ,  苏朝晖 ,  黄彭 ,  李飞 ,  王亮

IPC分类号： G01R31/12 ,  G01R31/16

摘要： 本发明涉及一种普冷温区下复合绝缘材料工频耐压试验装置，所述装置包括：微机控制部分、温度调节部分、电极系统部分和监测系统部分；所述微机控制部分分别与所述温度调节部分、电极系统部分和监测系统部分连接；所述电极系统部分还与所述耐压试验装置与监测系统部分连接；所述微机控制部分产生控制命令，控制所述温度调节部分动作与停止；所述微机控制部分还用于控制电极系统部分对所述耐压试验装置进行放电试验；所述监测系统部分用于对所述电极系统部分和耐压试验装置的放电试验进行测量和观测，本装置可有效改善复合绝缘材料的电气性能以及绝缘缺陷，并且本装置试验数据精确，功能完善，操作方便，使用寿命长。

公开(公告)号：CN111368464A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN202010340549.0

申请日：2020-04-26

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 林仲康 ,  潘艳 ,  韩荣刚 ,  唐新灵 ,  吴军民 ,  金锐 ,  张朋 ,  李现兵 ,  王亮

IPC分类号： G06F30/20 ,  G06F115/12

摘要： 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置，所述方法包括：将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置；获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据，所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据；获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据，所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据；将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配，所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片；计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差；随机更换所述多个目标芯片，以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。

公开(公告)号：CN110784870A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201911072111.2

申请日：2019-11-05

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 王亮 ,  崔文朋 ,  乔磊 ,  刘瑞 ,  郑哲 ,  庄黎明

IPC分类号： H04W12/02 ,  H04W12/04 ,  H04W12/06 ,  H04L9/08

摘要： 本发明公开了一种无线局域网安全通信方法及系统、认证服务器，该无线局域网安全通信方法包括：认证节点向无线访问接入点发送基于局域网的可扩展认证协议启动消息。认证节点接收可扩展认证协议认证请求消息。认证节点发送可扩展认证协议认证响应消息。认证节点接收第一加密信息。认证节点采用认证服务器的第二公钥基于国密SM2算法对认证服务器的第一加密信息进行解密。认证节点接收第二加密信息并采用认证服务器的第二公钥对认证服务器的第二加密信息进行解密。认证节点接收到第三消息，则认证节点将第三PMK密钥信息进行存储。该无线局域网安全通信方法及系统、认证服务器能够提高通信安全性。

公开(公告)号：CN110246814A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910467609.2

申请日：2019-05-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司晋城供电公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 武伟 ,  林仲康 ,  王亮 ,  赛朝阳 ,  董建军 ,  吴军民 ,  潘艳 ,  张朋 ,  李现兵

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/49 ,  H01L21/56

摘要： 本发明公开了一种功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构，用于晶圆，晶圆上阵列排布有多个功率芯片，功率芯片的第一电极位于晶圆的第一表面，功率芯片的第二电极位于晶圆的第二表面，该预封装方法包括：将多个第一引出电极分别连接在功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个第一引出电极之间的空间，形成包围第一引出电极的第一封装层；将多个第二引出电极分别连接在功率芯片的第二电极上；利用封装材料填充第二引出电极之间的空间，形成包围第二引出电极的第二封装层；对晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。通过实施本发明，避免了功率芯片终端受到污染的可能，提高了功率芯片终端耐压的可靠性。

公开(公告)号：CN109801899A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811607844.7

申请日：2018-12-27

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 唐新灵 ,  李现兵 ,  赛朝阳 ,  张朋 ,  王亮 ,  林仲康 ,  石浩 ,  张喆 ,  武伟 ,  韩荣刚

IPC分类号： H01L25/07

摘要： 本发明公开一种功率半导体模块，包括：多个并列设置的功率半导体单元，每个功率半导体单元封装在管壳中，且通过管壳中的弹力单元进行弹力支撑，每个功率半导体单元相互独立设置，且安装在第一金属电极与第二金属电极之间，第一金属电极与每个功率半导体单元电连接，第一金属电极与第二金属电极分别与外部电路电连接。本发明中的功率半导体模块中的功率半导体单元相互独立设置，当某一功率半导体单元一旦发生故障，可以利用另外正常的功率半导体单元替换，因此，可以充分利用芯片子模块，进而提高芯片子模块的利用率，可以减少芯片子模块的更换成本。

公开(公告)号：CN109249021A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201811038327.2

申请日：2018-09-06

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 李现兵 ,  王亮 ,  林仲康 ,  韩荣刚 ,  武伟 ,  唐新灵 ,  张喆 ,  石浩 ,  张朋 ,  田丽纷

IPC分类号： B22F3/105 ,  B22F3/24 ,  B33Y10/00 ,  B33Y80/00 ,  H01L23/04

摘要： 本发明公开一种铜锡合金件的制备方法、IGBT管壳及其凸台，该制备方法包括：在基板上铺设第一层铜锡合金粉末，用激光束选区加热选定区域的第一层铜锡合金粉末，使选定区域的第一层铜锡合金粉末局部熔合，在基板表面形成激光熔覆层；铜锡合金粉末中铜、锡的重量比为96:4～80:20；在激光熔覆层上铺设另一层铜锡合金粉末，用激光束选区加热选定区域的另一层铜锡合金粉末，形成与上一层激光熔覆层熔合的另一激光熔覆层；直到得到预设形状的铜锡合金成形件；对铜锡合金成形件进行固溶时效热处理得到铜锡合金。本发明制备的铜锡合金偏析程度小、合金相固溶度高、成分均匀和组织细小，解决了现有铸造态铜锡合金强度低、韧性低、难以成形及成分偏析的问题。