发明授权
- 专利标题: 等离子体处理装置
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申请号: CN201810649844.7申请日: 2018-06-22
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公开(公告)号: CN109119321B公开(公告)日: 2020-07-07
- 发明人: 南雅人 , 佐佐木芳彦
- 申请人: 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权: 2017-122491 2017.06.22 JP
- 主分类号: H01J37/32
- IPC分类号: H01J37/32
摘要:
本发明在将多个基板排列载置于下部电极来进行等离子体处理时,抑制下部电极的异常放电的发生。在将多个例如2个基板(G)排列载置的下部电极(4)中,在沿基板的四边顺时针或逆时针环绕的环绕路线上看时,将构成环部(6)的带状部件(61~67)配置成后方侧的带状部件的前端部的侧面与前方侧的带状部件的后端面接触。在以与设置于作为2个基板之间的边界区域(44)的带状部件(纵向部件)的后端面接触的方式在横向上配置在一直线上的2个带状部件(横向部件)(63、67)的端面彼此之间,形成有用于吸收横向部件的因热导致的延伸的间隙。由于下部电极不从间隙露出,所以即使等离子体进入间隙,也能够抑制异常放电的发生。
公开/授权文献
- CN109119321A 等离子体处理装置 公开/授权日:2019-01-01