公开(公告)号：CN118610084A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410719591.1

申请日：2017-12-14

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 克伦·雅各布斯·卡纳里克 ,  特塞翁格·金姆

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32

摘要： 本文提供了用于评估各种材料的改性和去除操作的协同作用以确定通过原子层蚀刻进行自限蚀刻的工艺条件的方法。所述方法包括确定材料的表面结合能量，为材料选择改性气体，其中用于使材料表面改性的工艺条件产生的能量小于改性能量且大于解吸能量，选择去除气体，其中用于去除经改性的表面的工艺条件产生的能量大于解吸能量以去除经改性的表面但小于材料的表面结合能量以防止溅射，并计算协同作用以使用于原子层蚀刻的工艺窗最大化。

公开(公告)号：CN118610059A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202311706093.5

申请日：2023-12-11

申请人： 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司

发明人： 褚鑫辉 ,  陈新益 ,  杨雪 ,  王志刚 ,  汤剑 ,  王智凯

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67

摘要： 本发明涉及半导体设备技术领域，具体而言，涉及一种半导体衬底处理设备；半导体衬底处理设备包括反应腔室、前级管线、远程等离子体源发生装置和冷却装置，前级管线与反应腔室连接；远程等离子体源发生装置与前级管线连接；冷却装置设置于前级管线，用于冷却前级管线。本发明的半导体衬底处理设备能够改善用远程等离子体源对前级管线进行清洗而导致前级管线升温的问题，以延长使用寿命。

公开(公告)号：CN111081518B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN201910858113.8

申请日：2019-09-11

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 永岛望 ,  油井隆一

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本发明提供滤波器单元的调整方法和等离子体处理装置。减小针对电性构件设置的滤波器单元的频率特性的偏差。等离子体处理装置中的滤波器单元的调整方法包括第一测定工序和调整工序。在第一测定工序中，测定多个滤波器单元中的作为基准的滤波器单元的频率特性。在调整工序中，调整除作为基准的滤波器单元以外的滤波器单元的频率特性。在调整工序中包括安装工序、第二测定工序以及单独调整工序。在安装工序中，安装用于调整滤波器单元内的配线的电容的电容构件。在第二测定工序中，测定安装有电容构件的滤波器单元的频率特性。在单独调整工序中，调整电容构件的电容，使得安装有电容构件的滤波器单元的频率特性接近作为基准的滤波器单元的频率特性。

公开(公告)号：CN118591861A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202380018499.6

申请日：2023-01-17

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 金德镐 ,  金玟爀 ,  闵庆仁 ,  朴昶均 ,  韩俊熙 ,  金杜镐 ,  金秀睿 ,  李承炫

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8234 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  H01J37/32

摘要： 本发明关于一种基板处理设备以及一种制造金属氧化物半导体的方法，其中，基板处理设备包括：腔体、设置在腔体中的基板支撑单元以及设置在基板支撑单元上方的喷射单元。

公开(公告)号：CN118588524A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202310181882.5

申请日：2023-02-24

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 张健

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/311

摘要： 本公开涉及一种基板干法蚀刻电极组件，基板干法蚀刻电极组件包括：第一隔离保护板、第二隔离保护板、第一电极板以及第二电极板。第二隔离保护板与第一隔离保护板相对间隔设置形成第一间隔区域，第一间隔区域用于放置待处理的基板的主体部。第一电极板与第一隔离保护板呈夹角设置。第二电极板与第二隔离保护板呈夹角设置。等离子体的蚀刻方向性改变，能实现晶边膜层蚀刻后晶边的状态从断崖式变为平缓式，进而在随后的制程中晶边薄膜剥落的可能性会大大降低，从而可以改善缺陷状况。此外，第一电极板与第二电极板均和基板呈夹角设置时，第一间隔区域通入保护气体时仍然能保证基板的主体部上的膜层不会被蚀刻，即不会受到任何影响。

公开(公告)号：CN112088426B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN201980030846.0

申请日：2019-05-03

申请人： 应用材料公司

发明人： T·A·恩古耶 ,  J·M·舒浩勒 ,  爱德华四世·P·哈蒙德 ,  D·伯拉尼克 ,  T·乌拉维 ,  A·K·班塞尔 ,  S·巴录佳 ,  马骏 ,  J·C·罗查

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46

摘要： 此处所述的实施例关于提供较短且对称的路径的接地路径系统，用于将射频(RF)能量传播至接地以减少寄生等离子体的产生。接地路径系统将腔室的处理容积分叉以形成内部容积，内部容积隔绝处理容积的外部容积。

公开(公告)号：CN110634724B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN201910524933.3

申请日：2019-06-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 姜姓佶 ,  朴珉燮 ,  金锟埈 ,  白在职 ,  申载振 ,  郑印惠

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/336

摘要： 提供了基底处理设备、信号源装置、处理材料层的方法。所述基底处理设备包括：处理腔室；基座，设置在处理腔室中，其中，基座被构造成支撑基底；第一等离子体产生器，设置在处理腔室的一侧上；以及第二等离子体产生器，设置在处理腔室的另一侧上，其中，第二等离子体产生器被构造成通过同时向基座供应正弦波信号和非正弦波信号来产生等离子体。通过使用根据发明构思的基底处理设备、信号源装置以及处理材料层的方法，可针对晶体材料层来获得光滑的蚀刻表面而没有通过RDC的器件损坏的风险。

公开(公告)号：CN118575254A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202380018122.0

申请日：2023-02-01

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 巴顿·莱恩 ,  山泽阳平 ,  麦里特·法克 ,  茂山和基

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 一种天线包括：内结构；外结构；以及将内结构耦合到外结构的多个互连结构。该多个互连结构关于天线的中心是轴对称的。每个互连结构具有至少30度的方位角分量。

公开(公告)号：CN118575252A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202280088715.X

申请日：2022-11-09

申请人： 金南宪

发明人： 金南宪

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本发明涉及一种用于晶片蚀刻的等离子体腔室及利用等离子体腔室的晶片蚀刻方法，本发明的等离子体腔室的特征在于，包括：壳体，其为了通过等离子体来蚀刻晶片而在内部具备反应空间；底板，其具备于上述壳体内部，且安置上述晶片；以及压力调节部，其调节上述壳体内部的压力，上述压力调节部将上述壳体内部的压力调节为50至150毫托(mTorr)，本发明的利用等离子体腔室的晶片蚀刻方法的特征在于，包括：通过上述压力调节部将上述壳体内部的压力调节为50至150毫托(mTorr)的压力调节步骤；以及通过上述等离子体源将上述等离子体源的源功率(source power)调节为300至1000W的源功率调节步骤。

公开(公告)号：CN118571826A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202411045631.5

申请日：2024-08-01

申请人： 深圳市新凯来工业机器有限公司

发明人： 吴涛 ,  杨杰 ,  杨思蝶

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C14/50 ,  C23C16/458

摘要： 一种静电卡盘和半导体设备，涉及半导体技术领域，静电卡盘包括主盘体、连接杆、基座和限位组件，连接杆一端与主盘体连接，连接杆的另一端具有第一凹陷部，第一凹陷部内设置有第一限位座；基座与连接杆的另一端连接，基座具有第二凹陷部，第二凹陷部内设置有第二限位座；限位组件的一端用于与第一限位座抵接，限位组件的另一端设置于第二限位座中；限位组件具有第一通道，第一限位座上设有第一通孔，第二限位座上设置有第二通孔，基座上设置有第二通道，第二通道、第二通孔、第一通道与第一通孔依次连通形成接口通道。本申请通过在半导体设备中采用静电卡盘，静电卡盘占用的空间较小，可以释放半导体设备的内部空间。