Invention Publication
- Patent Title: 用于形成字线的掩膜版、半导体存储器件以及测试结构
- Patent Title (English): Mask used for forming word lines, semiconductor memory device, and test structure
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Application No.: CN201710481337.2Application Date: 2017-06-22
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Publication No.: CN109119403APublication Date: 2019-01-01
- Inventor: 黄永彬 , 杨海玩 , 张宏 , 周朝锋 , 仇圣棻
- Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江路18号
- Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- Current Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江路18号
- Agency: 上海思微知识产权代理事务所
- Agent 屈蘅; 李时云
- Main IPC: H01L23/544
- IPC: H01L23/544

Abstract:
本发明公开了一种用于形成字线的掩膜版、半导体存储器件以及测试结构,所述掩膜版包括两个以上的间隔排列的图形单元,其中,所述图形单元包括引线焊垫图形、连接线图形和连接结构图形,所述连接结构图形、引线焊垫图形以及连接线图形仅分布在相互垂直的第一方向上和第二方向上,则所述用于形成字线的掩膜版的布局整齐、且都呈直角分布。相应的,所述半导体存储器件中用于连接存储单元阵列的字线的连接结构、引线焊垫以及连接线也仅分布在相互垂直的第一方向上和第二方向上,即字线中不会存在斜线的部分,因此,形成的所述字线的连接线的线宽均一,能够提高半导体存储器件的性能。另外所述测试结构用于检验字线的有效性。
Public/Granted literature
- CN109119403B 用于形成字线的掩膜版、半导体存储器件以及测试结构 Public/Granted day:2020-11-27
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IPC分类: