发明公开
- 专利标题: 硅异质结太阳电池及其制备方法
- 专利标题(英): Silicon heterojunction solar cell and preparation method thereof
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申请号: CN201710456695.8申请日: 2017-06-16
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公开(公告)号: CN109148614A公开(公告)日: 2019-01-04
- 发明人: 田宏波 , 王伟 , 赵晓霞 , 王恩宇 , 宗军 , 李洋 , 杨瑞鹏 , 周永谋
- 申请人: 国家电投集团科学技术研究院有限公司
- 申请人地址: 北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层
- 专利权人: 国家电投集团科学技术研究院有限公司
- 当前专利权人: 国家电投集团科学技术研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层
- 代理机构: 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 赵天月
- 主分类号: H01L31/0224
- IPC分类号: H01L31/0224 ; H01L31/0747 ; H01L31/20
摘要:
本发明公开了硅异质结太阳电池及其制备方法。其中,该太阳电池包括:n型晶硅衬底层;轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层,氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上;重掺杂p型氢化非晶硅发射极层,氢化非晶硅发射极层形成在一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上;重掺杂n型氢化非晶硅背场层,氢化非晶硅背场层形成在另一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上;透明导电氧化物层,透明导电氧化物层形成在氢化非晶硅发射极层和氢化非晶硅背场层的表面上;金属栅线电极层,金属栅线电极层包括:合金过渡层,合金过渡层形成在透明导电氧化物层、氢化非晶硅背场层和氢化非晶硅发射极层至少一层表面上;含铜导电合金层,含铜导电合金层形成在合金过渡层的表面上。
公开/授权文献
- CN109148614B 硅异质结太阳电池及其制备方法 公开/授权日:2024-01-09
IPC分类: