- 专利标题: 量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件
- 专利标题(英): Mixed film with crosslinked quantum dots and carrier, preparation method and QLED device
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申请号: CN201710465142.9申请日: 2017-06-19
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公开(公告)号: CN109148702A公开(公告)日: 2019-01-04
- 发明人: 向超宇 , 钱磊 , 曹蔚然 , 杨一行
- 申请人: TCL集团股份有限公司
- 申请人地址: 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
- 专利权人: TCL集团股份有限公司
- 当前专利权人: TCL科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
- 代理机构: 深圳市君胜知识产权代理事务所
- 代理商 王永文; 刘文求
- 主分类号: H01L51/50
- IPC分类号: H01L51/50 ; H01L51/54 ; H01L51/56 ; C08J3/24
摘要:
本发明公开量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件,方法包括步骤:将量子点与载体混合于溶剂中,得到混合液;通过溶液法将混合液制成含量子点与载体的混合薄膜;将所述含量子点与载体的混合薄膜放入HHIC反应器中,通入H2和不饱和气体,使得量子点与载体之间发生交联,得到量子点与载体交联的混合薄膜。本发明利用HHIC技术使得混合薄膜中量子点与载体交联在一起,得到量子点与载体交联的混合薄膜。利用HHIC技术,本发明量子点与载体通过碳链连接在一起,利于电荷更通过碳链进行传输,提高了电荷传输能力。同时通入不饱和气体,不饱和气体含有不饱和键,交联后,形成不定域的π键,可以导电,从而提高薄膜的光电性能。
公开/授权文献
- CN109148702B 量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件 公开/授权日:2020-07-21
IPC分类: