发明授权
- 专利标题: 多晶圆键合结构及键合方法
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申请号: CN201810988451.9申请日: 2018-08-28
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公开(公告)号: CN109192718B公开(公告)日: 2020-08-25
- 发明人: 叶国梁
- 申请人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
- 专利权人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
- 当前专利权人: 武汉新芯集成电路股份有限公司
- 当前专利权人地址: 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
- 代理机构: 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 屈蘅
- 主分类号: H01L23/528
- IPC分类号: H01L23/528 ; H01L23/522 ; H01L21/768
摘要:
本发明提供一种多晶圆键合结构及键合方法。所述多晶圆键合结构包括第一单元和第二单元,第一单元中的各晶圆的金属层与第一单元互连层电连接,第一单元中的第一键合层与所述第一单元互连层电连接,第二单元中的第二键合层与第二单元的金属层电连接,且第一键合层与第二键合层相接触以实现电连接,由此实现第一单元互连层、第一键合层、第二键合层以及各晶圆的金属层的电连接,无需采用外部引线结构,多晶圆键合结构的互连结构均设置于晶圆内部,相比于现有技术来说,互连距离短,信号传输速率快,功耗低,有利于实现高密度多晶圆集成以及多功能晶圆集成。
公开/授权文献
- CN109192718A 多晶圆键合结构及键合方法 公开/授权日:2019-01-11
IPC分类: