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公开(公告)号：CN113629088B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202110902521.6
申请日：2021-08-06
申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人： 叶国梁
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供了一种金属栅格的制造方法、背照式图像传感器及其制造方法，所述制造方法中，先在形成有凹槽、导电柱的衬底上依次随形覆盖刻蚀停止层和金属材料层，然后在凹槽中的金属材料层上形成焊垫，之后覆盖介质盖帽层并进一步刻蚀介质盖帽层、金属材料层和刻蚀停止层形成金属栅格。本发明的技术方案能够改善沉积的金属材料层表面的粗糙度，提高最终形成的金属栅格的高度均一性，能从整体上降低高金属栅格的制造难度，节约成本，提高器件的最终性能。
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公开(公告)号：CN112201574B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202011056815.3
申请日：2020-09-29
申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/768
摘要： 本申请提供一种多层晶圆键合方法。该方法包括提供第一待键合晶圆，第一待键合晶圆包括第一衬底、位于第一衬底的一侧表面的第一介质层、嵌设于第一介质层中的第一金属层以及第一键合垫；在第一介质层远离第一衬底的一侧表面形成第一保护层，以覆盖第一键合垫；将第一待键合晶圆与第一载片晶圆键合，且第一保护层位于第一介质层与第一载片晶圆之间；在第一衬底远离第一介质层的一侧表面形成第二介质层与第二键合垫；通过第二键合垫将第一待键合晶圆与一底晶圆键合；去除第一载片晶圆及第一保护层，使第一键合垫暴露；以及通过第一键合垫将第一待键合晶圆与一第二待键合晶圆键合。该方法能够防止键合垫被键合胶污染，同时在去除键合胶的过程中，能够防止键合垫被损坏。
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公开(公告)号：CN115497833A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211204655.1
申请日：2022-09-29
申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
摘要： 本申请提供一种晶圆封装方法、晶圆封装体及晶粒。该晶圆封装方法包括：提供一晶圆结构，其中，所述晶圆结构包括晶圆和接合在所述晶圆上的多个晶粒；对所述晶圆结构中的所述多个晶粒进行隔离填充和平坦化，以形成平坦面；在所述晶圆结构的所述平坦面上形成散热金属层。该晶圆封装方法能够在封装多个晶粒的同时，使多个晶粒能够通过该散热金属层快速散热降温，以避免产品过热的问题发生。
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公开(公告)号：CN115295483A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210923546.9
申请日：2022-08-02
申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，包括：提供一基底，所述基底上形成有介质层；形成第一开口，所述第一开口贯穿所述介质层且暴露出所述基底；形成保护层，所述保护层至少覆盖所述第一开口的侧壁与所述介质层的表面，并执行一热处理工艺致密化所述保护层；以致密化的所述保护层为掩膜刻蚀所述第一开口下的所述基底形成第二开口，所述第一开口侧壁与所述介质层表面仍保留部分厚度的所述保护层。所述第一开口和所述第二开口构成硅通孔。本发明形成第二开口时，由于第一开口的侧壁形成保护层，避免了位于第一开口侧壁的介质层在形成第二开口的刻蚀工艺中被刻蚀损伤，减少侧壁的粗糙度；同时保护层也起到保护缓冲作用，使得硅通孔刻蚀后的侧壁均匀光滑，提高了半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN110767605B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201911067318.0
申请日：2019-11-04
申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明提供一种金属衬垫的形成方法，可以在晶圆上形成金属衬垫，晶圆包括依次层叠的衬底、第一覆盖层和第二覆盖层，第一覆盖层中形成有第一互连层，第二覆盖层中形成有第二互连层，第一互连层和第二互连层之间形成有第一接触塞和第二接触塞，第一接触塞连接第一互连层和第二互连层，第二接触塞的一端连接第一互连层和第二互连层的其中之一，对晶圆进行刻蚀以形成贯穿至第二接触塞的另一端的第一开口，在第一开口中形成金属衬垫，形成的金属衬垫与第二接触塞连接，从而与第一互连层或第二互连层的连接，这样只要一次光刻工艺就可以形成贯穿至第二接触塞的第一开口，从而减少了光刻次数，降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN111933618B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202010814889.2
申请日：2020-08-13
申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L29/06 , H01L21/68
摘要： 本发明提供了一种具有对准标识的晶圆组件及其形成方法、晶圆对准方法，对准标识分布在第一晶圆和第二晶圆的键合层以及介质层中，第一晶圆中经第一点状标识和第一块状标识两层标识的反射光叠加从而保证了对准标识的图案清晰度，第一点状标识位于第一键合层中，且所述第一点状标识的上表面与所述第一键合层的上表面齐平，位于键合面上的第一点状标识保证微观平整度，键合后无空隙；同时位于键合面上的第一点状标识，还消除了不同层间的套刻精度误差。第二晶圆与第一晶圆同理。键合机台使用该对准标识既能消除不同层间的套刻精度误差，提高图案清晰度的同时解决键合空隙的问题。
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公开(公告)号：CN113644084A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110904012.7
申请日：2021-08-06
申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，通过在焊盘区的衬底背面上形成沟槽以及从所述沟槽的底面穿通至金属互连结构的顶面的通孔，以及，形成填充于所述通孔中的第一金属层，并在所述沟槽中形成焊盘结构，使得通过所述焊盘结构和所述第一金属层将形成于第一器件层中的金属互连结构接出，进而使得芯片尺寸能够进一步减小，且使得第一晶圆正面的金属互连结构的布线复杂程度得到降低。
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公开(公告)号：CN113629088A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110902521.6
申请日：2021-08-06
申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人： 叶国梁
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供了一种金属栅格的制造方法、背照式图像传感器及其制造方法，所述制造方法中，先在形成有凹槽、导电柱的衬底上依次随形覆盖刻蚀停止层和金属材料层，然后在凹槽中的金属材料层上形成焊垫，之后覆盖介质盖帽层并进一步刻蚀介质盖帽层、金属材料层和刻蚀停止层形成金属栅格。本发明的技术方案能够改善沉积的金属材料层表面的粗糙度，提高最终形成的金属栅格的高度均一性，能从整体上降低高金属栅格的制造难度，节约成本，提高器件的最终性能。
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公开(公告)号：CN111599793B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010450161.6
申请日：2020-05-25
申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L23/535 , H01L23/48 , H01L21/768
摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括至少一层辅助金属层，辅助金属层位于待互连的第一金属层与待互连的第二金属层之间；开孔暴露出辅助金属层的侧面；增大了露出的金属层的面积，从而增大互连层从开孔底部往上的填充速率，使开孔底部尽快填充形成互连层，避免填充互连层过程中顶部提前封口导致互连失败。互连层的顶面低于靠近互连层一侧的第一衬底的表面；互连层不形成在贯穿的第一衬底之间，确保了互连层与第一衬底之间的绝缘，且减小了待互连的第一金属层和待互连的第二金属层之间的配线距离，同时还减小了配线电容。
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公开(公告)号：CN112599483A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011459629.4
申请日：2020-12-11
申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L21/762 , H01L21/768
摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、芯片，包括：提供至少一调整晶圆，所述调整晶圆具有衬底以及自一贯穿开口延伸以贯穿所述衬底的硅通孔，所述硅通孔中填充有互连层，所述互连层具有拉伸应力；在所述调整晶圆的临近所述贯穿开口的一侧表面形成第一高压缩应力介质层，所述第一高压缩应力介质层的应力小于‑200MPa。第一高压缩应力介质层具有压缩应力，第一高压缩应力介质层的压缩应力使调整晶圆发生的形变与硅通孔中的互连层使调整晶圆发生的形变相反，以中和硅通孔中的互连层引起的调整晶圆形变，有效减小调整晶圆的翘曲程度，避免调整晶圆翘曲失控的问题，进而提高产品的稳定性良率。
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