发明授权
- 专利标题： 半导体发光元件及其制造方法
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申请号： CN201780016053.4申请日： 2017-03-07
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公开(公告)号： CN109196667B公开(公告)日： 2022-02-25
- 发明人: 全水根 , 金炅珉 , 朴恩铉 , 曹永琯 , 郑桂月 , 郑东昭 , 百成皓 , 朴应锡 , 李慧智
- 申请人： 世迈克琉明有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 世迈克琉明有限公司
- 当前专利权人： 世迈克琉明有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 金玲
- 优先权： 10-2016-0027072 20160307 KR 10-2016-0028320 20160309 KR 10-2016-0035200 20160324 KR 10-2016-0045595 20160414 KR 10-2016-0047567 20160419 KR 10-2016-0063362 20160524 KR 10-2016-0064830 20160526 KR 10-2016-0067159 20160531 KR
- 国际申请： PCT/KR2017/002455 2017.03.07
- 国际公布： WO2017/155282 KO 2017.09.14
- 进入国家日期： 2018-09-07
- 主分类号： H01L33/48
- IPC分类号： H01L33/48 ; H01L33/02 ; H01L33/50 ; H01L33/36 ; H01L33/52 ; H01L33/62 ; H01L33/10 ; H01L33/60
摘要：
本公开涉及半导体发光元件，其特征在于，包括：主体，其包括底部，在底部形成有至少一个以上的孔；半导体发光元件芯片，其位于各个至少一个以上的孔内，包括多个半导体层和电极，多个半导体层包括通过电子和空穴的复合生成光的有源层，上述电极与多个半导体层电连接；以及密封材料，其覆盖半导体发光元件芯片，其中，形成孔的底部内侧面具有多个倾斜角。
公开/授权文献
- CN109196667A 半导体发光元件及其制造方法 公开/授权日：2019-01-11
IPC分类:
