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CN109206436B 一种以二噻吩并吡咯为给电子中心的齐聚噻吩衍生物及其制备方法 有权 转让

一种以二噻吩并吡咯为给电子中心的齐聚噻吩衍生物及其制备方法
摘要：
本发明公开了一种以二噻吩并吡咯为给电子中心的齐聚噻吩衍生物及其制备方法，通过Stille交叉偶联反应,将中间体3‑溴‑7‑[5‑(4‑正己基苯基)‑2‑噻吩基]二苯并噻吩‑S,S‑二氧化物与中间体2,6‑二(三甲基锡)‑N‑(1,5‑二甲基己基)二噻吩并[3,2‑b:2',3'‑d]吡咯键联，合成了一种以(1,5‑二甲基己基)二噻吩并[3,2‑b:2',3'‑d]吡咯给电子单元为分子中心，以己基苯基噻吩基为端基给电子单元，以S,S‑二氧‑二苯并噻吩为嵌入受电子单元的给‑受型齐聚噻吩衍生物。该齐聚物的HOMO能级较低、能隙适中、热稳定性好、分子间存在一定的π‑π相互作用，是一种潜在的有机半导体新材料。
摘要（英）：

The invention discloses an oligothiophene derivative with dithienopyrrole as an electron donor center and a preparation method thereof. An intermediate 3-bromo-7-(5-hexyl-2,2'-dithienyl)dibenzothiophene-S,S-dioxide is bonded with an intermediate 2,6-bis(trimethyltin)-N-isooctyl dithieno[3,2-b:2',3'-d]pyrrole by a Stille cross-coupling reaction, a donor-acceptor oligothiophene derivative with a N-iso-octyl dithieno[3,2-b:2',3'-d]pyrrole (DTP) electron donor unit as a molecular center, hexylphenylthiophenyl as a terminal-group electron donor unit and S,S-dioxo-dibenzothiophene (DBTSO) as an embedded electron acceptor unit is synthesized. The oligomer has the advantages of low HOMO energy level, moderate energy gap, good thermal stability, and a certain pi-pi interaction among molecules, andis a potential new organic semiconductor material.

公开/授权文献
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